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| Artikelnummer: | MJD112T4 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | TRANS DARL NPN 2A 100V DPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.1806 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 100 V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 8mA, 2A |
| Transistor-Typ | NPN - Darlington |
| Supplier Device-Gehäuse | DPAK |
| Serie | - |
| Leistung - max | 20 W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Cut Tape (CT) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Frequenz - Übergang | 25MHz |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 1000 @ 2A, 3V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 20µA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 2 A |
| Grundproduktnummer | MJD11 |
| MJD112T4 Einzelheiten PDF [English] | MJD112T4 PDF - EN.pdf |




MJD112T4
onsemi. Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner für onsemi-Markenprodukte und bietet seinen Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der MJD112T4 ist ein Hochspannungs-, Hochstrom-NPN-Darlington-Transistor in einem DPAK (TO-252-3) Oberflächenmontagegehäuse. Er ist für verschiedene Anwendungen im Bereich der Leistungssteuerung und Verstärkung konzipiert.
Hohes Stromaufnahmevermögen von bis zu 2A; Hohe Spannungsfestigkeit von bis zu 100V; Hohe DC-Stromverstärkung von mindestens 1000; Frequenzübertragungsbereich von 25MHz; Breiter Betriebstemperaturbereich von -65 °C bis 150 °C
Effiziente Leistungsumsetzung und Verstärkung; Robuste Performance in anspruchsvollen Umgebungen; Kompaktes Oberflächenmontagegehäuse; Zuverlässiger und langlebiger Betrieb
Der MJD112T4 ist in einem DPAK (TO-252-3) Oberflächenmontagegehäuse mit 2 Anschlüssen und einem Kühlblech verpackt. Das Gehäuse bietet gute thermische Eigenschaften und elektrische Leistungsfähigkeit zur Unterstützung der Hochleistungsfunktion des Transistors.
Der MJD112T4 ist ein veraltetes Produkt und wird nicht mehr aktiv produziert. Es sind jedoch entsprechende oder alternative Modelle verfügbar. Kunden werden empfohlen, unser Vertriebsteam über die Webseite für weitere Informationen zu kontaktieren.
Leistungssteuerungsschaltungen; Leistungsverstärker; Motorsteuerung; Industrielle Automatisierung; Fahrzeugtechnik (Automobil Elektronik)
Das umfassendste technische Datenblatt für den MJD112T4 steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Kunden sollten das Datenblatt herunterladen, um die detaillierten technischen Spezifikationen und Leistungsmerkmale zu prüfen.
Kunden werden empfohlen, auf unserer Webseite ein Angebot für den MJD112T4 anzufordern. Nutzen Sie unsere zeitlich begrenzte Aktion, um die besten Preise und Verfügbarkeiten zu sichern.
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
ON TO-251
MJD117-1G/MJD112 ON/FAI
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
TRANS NPN 100V 2A DPAK
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
MJD112L-U/P KEC
KEC TO-252
TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
ON/ST 252-251-89
ON 252-251-89
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
MJD112T4G/MJD117T4G ON/FAI
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
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MOTOROLA TO251
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