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| Artikelnummer: | SPB80N03S2L-05 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 110µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-3-2 |
| Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9mOhm @ 55A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 167W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3320 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 89.7 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
| Grundproduktnummer | SPB80N |
| SPB80N03S2L-05 Einzelheiten PDF [English] | SPB80N03S2L-05 PDF - EN.pdf |




SPB80N03S2L-05
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von Produkten der Infineon Technologies (ehemals International Rectifier) und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der SPB80N03S2L-05 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET aus der OptiMOS-Serie von Infineon Technologies. Er wurde für ein breites Spektrum an Leistungsmanagement- und Energieumwandlungsanwendungen entwickelt.
N-Kanal-MOSFET
30V Drain-Source-Spannung
80A Dauer-Durchlassstrom
4,9 mOhm On-Widerstand
89,7 nC Gate-Ladung
3320 pF Eingangskapazität
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 175°C
Herausragende Energieeffizienz und Performance
Robustes und zuverlässiges Design
Geeignet für Hochstromund Hochfrequenzanwendungen
Optimiert für Energiewandlerund Steuerungssysteme
PG-TO263-3-2 Gehäuse
Band & Reel (TR) Verpackung
Oberflächenmontage (SMD)
TO-263-3, DPak (2 Anschlüsse + Kühlkopf), TO-263AB Gehäuse
Der SPB80N03S2L-05 ist ein aktives Produkt. Gegenwärtig sind keine direkten Ersatz- oder Alternativmodelle verfügbar. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Website.
Netzteile
Motorsteuerungen
Wechselrichter
DC-DC-Wandler
Korrekturschaltungen des Leistungsfaktors
Das aktuellste Datenblatt für den SPB80N03S2L-05 ist auf unserer Website verfügbar. Kunden werden empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um vollständige technische Spezifikationen und Produktinformationen zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den SPB80N03S2L-05 auf unserer Website einzuholen. Fordern Sie ein Angebot an oder erfahren Sie mehr über dieses zeitlich begrenzte Angebot.
SPB80N03S2L INFINEON
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
80A, 30V, N-CHANNEL, MOSFET
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
SPB80N03S2-03G INF
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
SPB80N03S2L-06G INFINEO
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
INFINEON TO-263
SPB80N03S2L-03 /2N03L03 INF
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
SPB80N04 INF
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