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| Artikelnummer: | SPB80N03S2L-04 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 130µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-3-2 |
| Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 80A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 188W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3900 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 105 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
| Grundproduktnummer | SPB80N |
| SPB80N03S2L-04 Einzelheiten PDF [English] | SPB80N03S2L-04 PDF - EN.pdf |




SPB80N03S2L-04
International Rectifier (Infineon Technologies)
Der SPB80N03S2L-04 ist ein leistungsstarker N-Kanal-MOSFET von International Rectifier (Infineon Technologies) mit einer Drain-Source-Spannung von 30V und einem Dauer-Drain-Strom von 80A bei 25 °C.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung: 30V
Kontinuierlicher Drain-Strom: 80A bei 25°C
Geringer On-Widerstand: 3,9 mOhm bei 80A, 10V
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Tape-and-Reel-Verpackung
Hervorragende Energieeffizienz
Hohe Stromtragfähigkeit
Robuste und zuverlässige Leistung
Vielseitig einsetzbar in verschiedenen Leistungsanwendungen
Gehäuse: TO-263-3, DPak (2 Anschlüsse + Kühleraufnahme), TO-263AB
Verpackung: Bandund Rollenverfahren (Tape and Reel)
Pin-Konfiguration: PG-TO263-3-2
Thermische Eigenschaften: Max. Leistung dissipiert 188W bei Tc
Elektrische Eigenschaften: MOSFET-Technologie (Metalloxid)
Das SPB80N03S2L-04 ist ein aktiviertes Produkt und steht nicht vor der Einstellung.
Es gibt mehrere gleichwertige oder alternative Modelle. Für weitere Informationen kontaktieren Sie bitte unser Vertriebsteam auf unserer Website.
Netzteile
Motorantriebe
Wechselrichter
Industrielle Elektronik
Fahrzeugtechnik (Automobiltechnik)
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INFINEON TO-263
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
SPB80N03S2-03 G INF
SPB80N04 INF
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
SPB80N03S2-03G INF
SPB80N03S2L-03 /2N03L03 INF
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
INFINEON TO-263
SPB80N03S2L-06G INFINEO
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
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SPB80N03S2L INFINEON
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
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MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
80A, 30V, N-CHANNEL, MOSFET
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
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