Deutsch
| Artikelnummer: | SPB42N03S2L-13 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 42A TO263-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.5323 |
| 10+ | $0.4087 |
| 100+ | $0.3386 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 37µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-3-2 |
| Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.6mOhm @ 21A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 83W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1130 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30.5 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 42A (Tc) |
| Grundproduktnummer | SPB42N |
| SPB42N03S2L-13 Einzelheiten PDF [English] | SPB42N03S2L-13 PDF - EN.pdf |




SPB42N03S2L-13
International Rectifier (Infineon Technologies)
Der SPB42N03S2L-13 ist ein N-Kanal-MOSFET in der Gehäusevariante TO-263-3, DPak (2 Anschlüsse + Kühlkörper), TO-263AB. Er gehört zur OptiMOS-Serie und bietet leistungsstarke Schaltfähigkeiten im Bereich der Leistungselektronik.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung (Vdss) von 30 V
Dauerstrom (Id) von 42 A bei 25 °C
Maximale Einschaltwiderstand (Rds(on)) von 12,6 mΩ
Maximale Schwellenspannung (Vgs(th)) von 2 V
Maximale Gate-Ladung (Qg) von 30,5 nC bei 10 V
Maximale Eingangskapazität (Ciss) von 1130 pF bei 25 V
Hochleistungsfähige Schaltfunktion für Leistungselektronik
Geringer On-Widerstand für effiziente Energieumwandlung
Vielseitig einsetzbar in verschiedenen Leistungsanwendungen
Gehäusetyp: TO-263-3, DPak (2 Anschlüsse + Kühlkörper), TO-263AB
Verpackung: Cut Tape (CT)
Gerätepaket: PG-TO263-3-2
Maximale Verlustleistung: 83 W bei Tc
Das SPB42N03S2L-13 ist ein aktives Produkt. Es können gleichwertige oder alternative Modelle verfügbar sein. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam über unsere Webseite für weitere Informationen.
Netzteile
Motorantriebe
Wechselrichter
Schaltregler
Das wichtigste und detaillierteste Datenblatt für den SPB42N03S2L-13 steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Wir empfehlen, dieses zu beziehen.
Kunden werden ermutigt, Angebote direkt auf unserer Webseite anzufordern. Holen Sie sich ein Angebot, erfahren Sie mehr oder nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Sonderangebot.
MOSFET N-CH 30V 42A TO263-3
INFINEON TO
MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
INFINEON TO-263
INFINEON P-TO263-3-2
INF TO220
INFINEON P-TO263-3-2
INFINEO TO-263
INFINEON P-TO263-3-2
MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3
INFINEON TO263
MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
MOSFET N-CH 30V 42A TO263-3
SPB35N10G INF
MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3
INFINEON TO263
INFINEO SOT-263
MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2025/05/8
2024/04/10
2025/02/12
2025/01/9
SPB42N03S2L-13Infineon Technologies |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|