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| Artikelnummer: | SPB35N10 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 83µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-3-2 |
| Serie | SIPMOS® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44mOhm @ 26.4A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 150W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1570 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 35A (Tc) |
| Grundproduktnummer | SPB35N |
| SPB35N10 Einzelheiten PDF [English] | SPB35N10 PDF - EN.pdf |




SPB35N10
Y-IC ist ein zuverlässiger Distributor von Produkten der Marke Infineon Technologies und bietet Kunden die besten Produkte und Serviceleistungen.
Der SPB35N10 ist ein leistungsstarker N-Kanal-MOSFET von Infineon Technologies, entwickelt für vielfältige Anwendungen im Bereich Leistungsmanagement und Schalttechnik.
N-Kanal-MOSFET
SIPMOS®-Serie
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V
Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) 35 A bei 25°C
Maximaler On-Widerstand (Rds(on)) 44 mΩ bei 26,4 A, 10 V
Maximale Gate-Ladung (Qg) 65 nC bei 10 V
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 175°C
Hervorragende Energieeffizienz und thermische Leistung
Zuverlässiges und robustes Design für anspruchsvolle Anwendungen
Breiter Betriebstemperaturbereich für vielseitigen Einsatz
TO-263-3, D2PAK (2 Anschlüsse + Gehäusekühler), TO-263AB
Oberflächemontage (SMD)
Der SPB35N10 ist ein auslaufendes Produkt
Kunden werden empfohlen, sich über unsere Verkaufsseite an unser Vertriebsteam zu wenden, um Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen zu erhalten
Netzteile
Motorsteuerungen
Schaltwandler
Industrieund Unterhaltungselektronik
Das offizielle Datenblatt für den SPB35N10 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, es für technische Details herunterzuladen.
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MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3
MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3
INFINEO SOT-263
INFINEON TO
INFINEON P-TO263-3-2
TI TQFP128
INFINEON TO263
SPB35N10G INF
TI TQFP128
VBsemi TO263
INFINEON P-TO263-3-2
TI TQFPPB
MOSFET N-CH 30V 42A TO263-3
INFINEON TO263
INF TO220
MOSFET N-CH 30V 42A TO263-3
MOSFET N-CH 30V 42A TO263-3
INFINEON P-TO263-3-2
INFINEON TO-263
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SPB35N10Infineon Technologies |
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Zielpreis (USD)
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