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| Artikelnummer: | IPB200N15N3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-3-2 |
| Serie | OptiMOS™ 3 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 50A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 150W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1820 pF @ 75 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 150 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 50A (Tc) |
| IPB200N15N3 Einzelheiten PDF [English] | IPB200N15N3 PDF - EN.pdf |




IPB200N15N3
Y-IC ist ein zuverlässiger Distributor der Marke International Rectifier (Infineon Technologies) und bietet Kunden die besten Produkte und Serviceleistungen.
Der IPB200N15N3 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit geringem On-Widerstand, der für den Einsatz in Hochfrequenz- und Hochwirkungsgrad-Stromumwandlungsanwendungen entwickelt wurde.
N-Kanal-Leistungs-MOSFET
Geringer On-Widerstand
Hochfrequenzbetrieb
Geeignet für effiziente Stromwandlungsprozesse
Verbesserte Energieeffizienz
Geringere Leistungsverluste
Kompaktes Design
Gehäusetyp: TO263-3
Bietet gute thermische und elektrische Eigenschaften
Der IPB200N15N3 ist derzeit ein aktiviertes Produkt. Es sind gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich. Bitte wenden Sie sich für weitere Informationen an unser Vertriebsteam über die Website.
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Industrieund Unterhaltungselektronik
Das umfassendste Datenblatt für den IPB200N15N3 ist auf unserer Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, dieses herunterzuladen, um detaillierte Produktspezifikationen zu erhalten.
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MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
MOSFET N-CH 150V 50A D2PAK
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IPB200N15N3 G Infineon Technologies
TRENCH >=100V PG-TO263-3
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