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| Artikelnummer: | PSMN1R4-30YLDX |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Nexperia |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.8841 |
| 10+ | $0.7205 |
| 30+ | $0.6387 |
| 100+ | $0.5568 |
| 500+ | $0.5095 |
| 1500+ | $0.4837 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | LFPAK56, Power-SO8 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.42mOhm @ 25A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 166W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | SC-100, SOT-669 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3840 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54.8 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 100A (Tc) |
| Grundproduktnummer | PSMN1R4 |
| PSMN1R4-30YLDX Einzelheiten PDF [English] | PSMN1R4-30YLDX PDF - EN.pdf |




PSMN1R4-30YLDX
Nexperia. Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von Nexperia-Produkten und bietet seinen Kunden die besten Produkte und Serviceleistungen.
Der PSMN1R4-30YLDX ist ein N-Kanal-MOSFET mit niedrigem R_DS(on) und hoher Strombelastbarkeit. Er wurde für hocheffiziente, kompakte Schaltungslösungen und Hochfrequenz-Schaltanwendungen im Bereich der Leistungselektronik entwickelt.
N-Kanal-MOSFET
Niedriger R_DS(on): 1,42 mOhm
Hohe Strombelastbarkeit: 100 A Dauerstrom
Hohe Leistungsabgabe: 166 W
Breiter Betriebstemperaturbereich: -55°C bis 175°C
Ermöglicht energieeffiziente Stromwandler
Unterstützt Hochleistungs-Dichte-Designs
Ideal für Anwendungen mit Hochfrequenz-Schaltung
Gehäuse: LFPAK56, Power-SO8
Verpackung: Bulk Tape & Reels (TR)
Thermische Eigenschaften: 166 W Leistungsabgabe
Elektrische Eigenschaften: V_dss von 30 V, V_gs(th) von 2,2 V, Q_g von 54,8 nC
Der PSMN1R4-30YLDX ist ein aktives Produkt. Entsprechende oder alternative Modelle sind erhältlich. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Webseite.
Schaltende Netzteile
Motorenantriebe
Stromversorgungssysteme
Industrieund Unterhaltungselektronik
Das zuverlässigste Datenblatt für den PSMN1R4-30YLDX ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden werden empfohlen, es herunterzuladen.
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DIODE ARRAY SCHOTTKY
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
NXP SOT-669
PSMN1R3-30YL NXP
100A, 40V, 0.00185OHM, N CHANNEL
NXP SOT-669
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
PSMN1R5-25YL NXP
N-CHANNEL 55 V, 1.03 MOHM, 330 A
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MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
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