Deutsch
| Artikelnummer: | PMGD780SN,115 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Nexperia |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.0802 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 6-TSSOP |
| Serie | TrenchMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 920mOhm @ 300mA, 10V |
| Leistung - max | 410mW |
| Verpackung / Gehäuse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 23pF @ 30V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.05nC @ 10V |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 490mA |
| Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) |
| Grundproduktnummer | PMGD780 |
| PMGD780SN,115 Einzelheiten PDF [English] | PMGD780SN,115 PDF - EN.pdf |




PMGD780SN,115
Y-IC ist ein qualitativ hochwertiger Händler für Nexperia-Produkte. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Services.
Der PMGD780SN,115 ist ein dualer N-Kanal-MOSFET aus Nexperias TrenchMOS™-Serie. Er ist konzipiert für allgemeine Anwendungen wie Schalten und Verstärkung.
Dualer N-Kanal-MOSFET
Logikpegel-gate
60V Drain-Source-Spannung
490mA Dauer-Abflussstrom
Maximaler On-Widerstand von 920mΩ
Max. Gate-Source-Schwellenwert von 2,5V
Max. Gate-Ladung von 1,05nC
Max. Eingangskapazität von 23pF
Max. Verlustleistung von 410mW
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C
Effizientes Schalten und Verstärken von Leistung
Kompaktes und platzsparendes Doppelkanal-Design
Geeignet für eine Vielzahl von allgemeinen Anwendungen
Tapes and Reel (TR) Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Gehäuse
Oberflächenmontagegehäuse
Dieses Produkt wird für neue Designs nicht empfohlen. Kunden werden gebeten, unseren Vertrieb für Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen zu kontaktieren.
Allgemeines Schalten und Verstärkung
Energiemanagement
Audiound Videogeräte
Industrielle Steuerungssysteme
Das offizielle Datenblatt für den PMGD780SN,115 finden Sie auf unserer Website. Wir empfehlen, es für detaillierte technische Spezifikationen und Leistungsinformationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den PMGD780SN,115 auf unserer Website anzufordern. Nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Angebot und holen Sie sich jetzt ein Angebot ein.
PMGD8000LN NXP
NEXP SOT363
VBSEMI SOT-363
PMGD290XN NXP
MOSFET 2N-CH 30V 0.74A 6TSSOP
PMGD780SN+115 NXP
NEXP SOT363
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
PMGD370XN NXP
PHI TO-23-6
NEXP SOT363
Nexperia SOT363
VBSEMI SOT-363
MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP
PMGD400UN NXP
MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
NEXP SOT363
NEXP SOT-363
PMGD780SN NXP
VBSEMI SOT-363
2026/05/12
2026/05/8
2026/04/28
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel







2026/05/21
2026/05/20
2026/05/20
2026/05/20
PMGD780SN,115Nexperia USA Inc. |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|