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| Artikelnummer: | PMDXB950UPE |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Nexperia |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Prüfung | 43pF @ 10V |
| Spannung - Durchschlag | 6-DFN (1.1x1) |
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.4 Ohm @ 500mA, 4.5V |
| Standardpaket | 1 |
| Serie | TrenchFET® |
| RoHS Status | Digi-Reel® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mA |
| Leistung - max | 265mW |
| Polarisation | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Teilstatus | Discontinued at Digi-Key |
| Andere Namen | 1727-1471-6 568-10942-6 568-10942-6-ND |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer | PMDXB950UPE |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2.1nC @ 4.5V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 950mV @ 250µA |
| FET-Merkmal | 2 P-Channel (Dual) |
| Expanded Beschreibung | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 500mA 265mW Surface Mount 6-DFN (1.1x1) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | Logic Level Gate |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 20V |
| PMDXB950UPE Einzelheiten PDF [English] | PMDXB950UPE PDF - EN.pdf |




PMDXB950UPE
Nichicon – Y-IC ist ein Qualitätsdistributor der Produktemarke Nichicon und bietet Kunden die besten Produkte und Serviceleistungen.
Der PMDXB950UPE ist ein Dual-P-Channel-MOSFET-Array mit einer Drain-Source-Spannung von 20V und einem Dauerdurchlassstrom von 500mA. Er verfügt über einen niedrigen On-Widerstand von 1,4 Ohm und ist in einem kompakten 6-DFN-Gehäuse (1,1×1 mm) für die Oberflächenmontage untergebracht.
2 P-Channel (Dual) MOSFET-Array
20V Drain-Source-Spannung
500mA Dauer-Durchlassstrom
Niedriger On-Widerstand von 1,4 Ohm
Kompaktes 6-DFN-Gehäuse (1,1×1) für die Oberflächenmontage
Dual-MOSFET-Konfiguration für platzsparendes Design
Niedriger On-Widerstand für effiziente Energieumwandlung
Geeignet für eine Vielzahl von Niedrigleistungsanwendungen
Gehäusetyp: 6-DFN (1,1×1) mit freiliegendem Fuß
Material: Kunststoff
Abmessungen: 1,1 mm x 1,0 mm
Thermische Eigenschaften: 265 mW Leistungsaufnahme
Elektrische Spezifikationen: Logikpegel-Gate, Eingangs-Kapazität von 43 pF bei 10V
Das Produkt PMDXB950UPE ist aktiv und wird voraussichtlich nicht eingestellt.
Es gibt äquivalente oder alternative Modelle; konkrete Details erhalten Sie durch Kontaktaufnahme mit unserem Vertrieb über die Webseite.
Niedrigleistungs-Elektronik
Stromversorgungsund Managementschaltungen
Schaltregler (Switch-Mode Power Supplies)
Das offiziellste Datenblatt für den PMDXB950UPE ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte technische Informationen herunterzuladen.
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PMDXB550UNE - N Channel MOSFET
PMDXB950UPEL - 20 V, DUAL P-CHAN
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PMDXB600UNEL - N Channel MOSFET
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SMALL SIGNAL MOSFETS FOR PORTABL
20 V, DUAL P-CHANNEL TRENCH MOSF
PMDXB600UNE Nexperia USA Inc.
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
20 V, DUAL N-CHANNEL TRENCH MOSF
SMALL SIGNAL FET
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0.6A, 20V, 2-ELEMENT, N CHANNEL,
MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
PMDXB950UPEL - 20 V, DUAL P-CHAN
NEXPERIA PMDXB550UNE - SMALL SIG
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PMDXB950UPENexperia USA Inc. |
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