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| Artikelnummer: | PMDXB600UNEZ |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Nexperia |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 5+ | $0.0839 |
| 50+ | $0.0654 |
| 150+ | $0.0561 |
| 500+ | $0.0492 |
| 2500+ | $0.0436 |
| 5000+ | $0.0409 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | DFN1010B-6 |
| Serie | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 620mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Leistung - max | 265mW |
| Verpackung / Gehäuse | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 21.3pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.7nC @ 4.5V |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 600mA |
| Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) |
| Grundproduktnummer | PMDXB600 |
| PMDXB600UNEZ Einzelheiten PDF [English] | PMDXB600UNEZ PDF - EN.pdf |




PMDXB600UNEZ
Nexperia USA Inc. «Y-IC» ist ein qualifizierter Distributor von Nexperia-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen an.
Der PMDXB600UNEZ ist eine duale N-Kanal Verstärkungs-MOSFET-Leistung in einem DFN1010B-6 (X1) Gehäuse von Nexperia. Er gehört zur TrenchFET®-Serie und verfügt über ein Logikpegel-Gate, was die Ansteuerung mit gängiger CMOS- oder VLSI-Technik erleichtert.
Dualer N-Kanal Verstärkungs-MOSFET
Logikpegel-Gate
Teil der TrenchFET®-Serie
DFN1010B-6 (X1) Gehäuse
Kompaktes DFN-Gehäuse für raumsparende Anwendungen
Logikpegel-Gate vereinfacht die Ansteuerungschaltungen
Geringer Rö--Wert für effiziente Energieumwandlung
Breiter Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C
Rollenverpackung (Tape and Reel, TR)
DFN1010B-6 (X1) Gehäuse
Exposed Pad für verbesserte thermische Leistung
Anschlussschema und elektrische Eigenschaften geeignet für Leistung MOSFETs
Dieses Produkt ist aktuell aktiv und in Produktion.
Es gibt gleichwertige oder alternative Modelle, wie z.B. PMDXB600ENZ und PMDXB600UNE4.
Für weitere Informationen zu Alternativen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam via unsere Webseite.
Energiemanagement
Schaltkreise
Motorsteuerung
Lichtsteuerung
Allgemeine Leistungsschaltung
Das neueste und autorisierte Datenblatt für den PMDXB600UNEZ steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Kunden werden ermutigt, das Datenblatt öffentlich herunterzuladen, um alle technischen Details zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, auf unserer Webseite Angebote für den PMDXB600UNEZ anzufordern. Holen Sie sich noch heute ein Angebot für dieses hochwertige Nexperia-Produkt!
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN
SMALL SIGNAL MOSFETS FOR PORTABL
NEXPERIA PMDXB550UNE - SMALL SIG
PMDXB600UNEL - N Channel MOSFET
SMALL SIGNAL FET
20 V, DUAL N-CHANNEL TRENCH MOSF
PMDXB950UPEL - 20 V, DUAL P-CHAN
NXP DFN1010B-6
0.6A, 20V, 2-ELEMENT, N CHANNEL,
PMDXB550UNE - N Channel MOSFET
MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
20 V, DUAL P-CHANNEL TRENCH MOSF
PMDXB600UNE Nexperia USA Inc.
0.59A, 30V, 2-ELEMENT, N CHANNEL
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
PMDXB950UPEL - 20 V, DUAL P-CHAN
MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
SMALL SIGNAL FET
NXP DFN6
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PMDXB600UNEZNexperia USA Inc. |
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Zielpreis (USD)
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