Deutsch

| Artikelnummer: | NDP603AL |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 25A TO220-3 |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 951+ | $0.30 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220-3 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 25A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 50W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 25A (Tc) |
| NDP603AL Einzelheiten PDF [English] | NDP603AL PDF - EN.pdf |




NDP603AL
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor für Produkte der Marke onsemi und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der NDP603AL ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 30 V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von 25 A bei 25 °C Gehäusetemperatur. Er zeichnet sich durch einen niedrigen On-Widerstand und schnelle Switching-Eigenschaften aus, was ihn für eine Vielzahl von Leistungsumschaltungsanwendungen geeignet macht.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung von 30 V
Kontinuierlicher Drainstrom von 25 A bei 25 °C Gehäusetemperatur
Niedriger On-Widerstand
Schnelle Schaltzeiten
Herausragende Leistung bei Leistungsumschaltungen
Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit
Vielseitig einsetzbar in verschiedenen Anwendungsbereichen
Der NDP603AL ist in einem TO-220-3-Durchsteckgehäuse verpackt. Dieses Gehäuse bietet gute thermische Eigenschaften und elektrische Leistungsfähigkeit für das Bauteil.
Das Produkt NDP603AL ist veraltet. Kunden werden empfohlen, unser Verkaufsteam über die Y-IC-Website zu kontaktieren, um Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen zu erhalten.
Stromschaltkreise
Motorantriebe
Netzteile
Industrielle Automatisierung
Das zuverlässigste Datenblatt für den NDP603AL steht auf der Y-IC-Website zum Download bereit. Kunden wird geraten, das Datenblatt herunterzuladen, um vollständige technische Spezifikationen und Leistungsdetails zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den NDP603AL auf der Y-IC-Website einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt und unsere weiteren Angebote.
NDP605BL N
NDP6050L Original
VBSEMI TO-220AB
FSC TO-220
NDP6030L F
MOSFET N-CH 30V 25A TO220-3
NDP605B NS
NDP605A Original
NDP6050 FSC
NS TO-220
MOSFET P-CH 20V 24A TO220-3
NS TO220
NDP6051 Original
MOSFET P-CH 30V 30A TO220-3
NDP6020 Original
MOSFET P-CH 30V 30A TO220-3
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
NS TO-220
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2024/10/23
2024/04/13
2024/09/18
2025/07/16
NDP603ALFairchild Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|