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| Artikelnummer: | APTGF75DH120TG |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Microsemi |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT MODULE 1200V 100A 500W SP4 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 1200 V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 75A |
| Supplier Device-Gehäuse | SP4 |
| Serie | - |
| Leistung - max | 500 W |
| Verpackung / Gehäuse | SP4 |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | - |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Eingangskapazität (Cíes) @ VCE | 5.1 nF @ 25 V |
| Eingang | Standard |
| IGBT-Typ | NPT |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 250 µA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100 A |
| Konfiguration | Asymmetrical Bridge |
| APTGF75DH120TG Einzelheiten PDF [English] | APTGF75DH120TG PDF - EN.pdf |




APTGF75DH120TG
Y-IC ist ein hochwertiger Händler für Produkte der Marke Microsemi und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Das APTGF75DH120TG ist ein diskretes Halbleiterbauelement, speziell ein Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT)-Modul von Microsemi.
Asymmetrische Brückenkonfiguration
Maximalleistung: 500 W
Collector-Emitter-Breakdown-Spannung: 1200 V
Maximeller Kollektorstrom: 100 A
Maximaler Kollektorschlussstrom: 250 A
NPT IGBT-Typ
Max. Sättigungsspannung: 3,7 V
Eingangs-Kapazitanz: 5,1 nF
Standard-Input
NTC-Thermistor
Hohe Leistungsfähigkeit
Hohe Spannungsund Stromfestigkeit
Geringe Sättigungsspannung für verbesserte Effizienz
Geeignet für vielfältige Anwendungen in der Leistungselektronik
Verpackungsart: SP4
Gehäuse-Montage
Inklusive NTC-Thermistor
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