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| Artikelnummer: | APT11GF120BRDQ1G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Microsemi |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT 1200V 25A 156W TO247 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 1200 V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 8A |
| Testbedingung | 800V, 8A, 10Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 7ns/100ns |
| Schaltenergie | 300µJ (on), 285µJ (off) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-247 [B] |
| Serie | - |
| Leistung - max | 156 W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
| Paket | Tube |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | NPT |
| Gate-Ladung | 65 nC |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 24 A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 25 A |
| Grundproduktnummer | APT11G |
| APT11GF120BRDQ1G Einzelheiten PDF [English] | APT11GF120BRDQ1G PDF - EN.pdf |




APT11GF120BRDQ1G
Microsemi Corporation. Y-IC ist ein Qualitäts-Fachhändler für Microsemi-Produkte und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der APT11GF120BRDQ1G ist ein einzelner IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) von Microsemi Corporation. Es handelt sich um ein Hochleistungs- und Hochspannungsbauelement, das für verschiedene Leistungs- elektronikanwendungen geeignet ist.
Spannungsfestigkeit zwischen Kollektor und Emitter: 1200V
Maximeller Kollektorstrom: 25A
Maximaler pulsförmiger Kollektorstrom: 24A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: maximal 3V bei 15V Gate und 8A Kollektor
Maximale Leistungsaufnahme: 156W
Schalterswitching-Energie beim Einschalten: 300μJ, beim Ausschalten: 285μJ
Standard-Gate-Inputs
Gate-Ladung: 65nC
Einschalt-Verzugszeit: 7ns, Ausschalt-Verzugszeit: 100ns
Betriebstemperaturbereich: -55°C bis 150°C
Gehäuse: Durchlochgehäuse TO-247-3
Hohe Spannungsund Strombelastbarkeit
Geringer On-Widerstand
Schnelle Schaltzeiten
Robuste und zuverlässige Leistung
Eignet sich für eine Vielzahl von Leistungselektronikanwendungen
Der APT11GF120BRDQ1G ist in einem TO-247-3-Durchlochgehäuse verpackt. Dieses Gehäuse bietet ausgezeichnete thermische und elektrische Eigenschaften sowie eine sichere mechanische Befestigung.
Der APT11GF120BRDQ1G ist ein veraltetes Produkt. Es sind jedoch Ersatz- oder Alternativmodelle von Microsemi erhältlich. Kunden werden empfohlen, den Vertrieb über unsere Website für weitere Informationen zu geeigneten Ersatzteilen zu kontaktieren.
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Das umfangreichste Datenblatt für den APT11GF120BRDQ1G ist auf unserer Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt für detaillierte technische Informationen herunterzuladen.
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