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| Artikelnummer: | APT10SCD65KCT |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Microsemi |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE SILICON 650V 17A TO220 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 10 A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 650 V |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220 |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 0 ns |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 200 µA @ 650 V |
| Strom - Richt (Io) (pro Diode) | 17A |
| Grundproduktnummer | APT10S |
| APT10SCD65KCT Einzelheiten PDF [English] | APT10SCD65KCT PDF - EN.pdf |




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