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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-Einzel2N3637
Microsemi
Image kann eine Darstellung sein.
siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Microsemi 2N3637

Artikelnummer: 2N3637
Hersteller / Marke: Microsemi
Teil der Beschreibung.: NPN POWER SILICON TRANSISTORS
Datenblätte:
1.2N3637.pdf ···

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  • Qualitätskontrolle und Verpackung
  • Microsemi 2N3637 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microsemi 2N3637 .
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Standardpaket 1
    Serie *
    RoHS-Status RoHS non-compliant
    Teilstatus Active
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Hersteller Standard Vorlaufzeit 12 Weeks
    detaillierte Beschreibung Bipolar (BJT) Transistor
    2N3637 Einzelheiten PDF [English] 2N3637 PDF - EN.pdf
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    - Foto der Teile
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    Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.
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Benutzerbewertung

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    2026/04/20

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    LM5145RGYR works fine in a DC-DC power design. Efficiency is good, but layout needs to be carefully optimized.

    2026/04/17

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    2026/04/8

  • Vipe***rcuit

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    2026/03/31

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