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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-Einzel2N3467
Microsemi
Image kann eine Darstellung sein.
siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Microsemi 2N3467

Artikelnummer: 2N3467
Hersteller / Marke: Microsemi
Teil der Beschreibung.: NPN POWER SILICON TRANSISTORS
Datenblätte:
1.2N3467.pdf ···

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    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Standardpaket 1
    Serie *
    RoHS-Status RoHS non-compliant
    Teilstatus Active
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Andere Namen 2N3467MS
    Hersteller Standard Vorlaufzeit 12 Weeks
    detaillierte Beschreibung Bipolar (BJT) Transistor
    2N3467 Einzelheiten PDF [English] 2N3467 PDF - EN.pdf
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    Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.
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Benutzerbewertung

  • Jess***Miller

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    2026/04/20

  • Powe***sign_Guy

    LM5145RGYR works fine in a DC-DC power design. Efficiency is good, but layout needs to be carefully optimized.

    2026/04/17

  • Powe***ive_

    Used the FF900R12IP4 in an automotive inverter project. Power handling is solid and thermal performance is stable under load.

    2026/04/8

  • Vipe***rcuit

    One unit failed during initial power-up, but the rest were fine. Mixed experience overall.

    2026/03/31

  • Hiro*** T.

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    2026/03/23

  • Yuki***

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    2026/01/16

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    2021/03/4

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