Deutsch

| Artikelnummer: | MT49H8M36BM-TIB |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Micron Technology |
| Teil der Beschreibung.: | MICRON BGA |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Serie | - |
| RoHs Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Bedingung | New Original Stock |
| Garantie | 100% Perfect Functions |
| Vorlaufzeit | 2-3days after payment. |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Zahlungsmittel | PayPal / Credit Card / Telegraphic Transfer |
| Versand per | DHL / Fedex / UPS |
| Hafen | HongKong |
| Anfrage-E-Mail | Info@Y-IC.com |




MT49H8M36BM-TIB
Micron Technology
Der MT49H8M36BM-TIB ist ein hochdichter, leistungsstarker DRAM (Dynamic Random-Access Memory) integrierter Schaltkreis (IC) von Micron Technology. Er verfügt über ein BGA (Ball Grid Array)-Gehäuse und ist für spezialisierte Anwendungen konzipiert.
Hochdichte DRAM mit einer Kapazität von 288 Mb
Betrieb bei niedrigen Spannungen für energieeffiziente Leistung
Unterstützung fortschrittlicher Speicherschnittstellen und Timing-Protokolle
Optimiert für spezialisierte Hochleistungsanwendungen
Verbesserte Systemleistung und Effizienz
Geringerer Stromverbrauch und Wärmeentwicklung
Kompatibilität mit einer Vielzahl von Systemarchitekturen
Zuverlässiger und langlebiger Betrieb in anspruchsvollen Anwendungen
Das MT49H8M36BM-TIB wird in einem BGA (Ball Grid Array)-Gehäuse geliefert. Das Gehäuse zeichnet sich durch seine kompakte Größe, hohe Pin-Anzahl sowie exzellente thermische und elektrische Eigenschaften aus, was es für eine Vielzahl von spezialisierten Anwendungen geeignet macht.
Das MT49H8M36BM-TIB ist ein aktives Produkt, das von Micron Technology weiterhin unterstützt wird. Obwohl es möglicherweise vergleichbare oder alternative Modelle gibt, sollten Kunden unser Vertriebsteam über die Y-IC-Website kontaktieren, um die neuesten Informationen zur Verfügbarkeit und Kompatibilität zu erhalten.
Das MT49H8M36BM-TIB ist für spezialisierte Anwendungen konzipiert, die einen Hochleistungs-DRAM mit Energieeffizienz erfordern, wie z.B. industrielle Systeme, Telekommunikationsausrüstungen und Embedded-Computing-Geräte.
Das maßgebliche Datenblatt für das MT49H8M36BM-TIB ist auf der Y-IC-Website verfügbar. Kunden werden empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um mehr über die technischen Spezifikationen und Fähigkeiten des Produkts zu erfahren.
Kunden werden empfohlen, Angebote für das MT49H8M36BM-TIB auf der Y-IC-Website anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot, um mehr über Preise und Verfügbarkeit zu erfahren.
IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
MICRON BGA144
MT49H8M36FM-25 MICRON
MT49H8M36BM-33IT:B MICRON
MT49H8M36FM-25IT:B MICRON/PB
MT49H8M36BM-5 Micron
IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
MT49H8M36FM-33 MICRON
IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
MT49H8M36BM-TI MT
IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
MICRON BGA
IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel
2024/12/17
2024/04/27
2025/06/18
2025/01/26
MT49H8M36BM-TIBMICRON |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|