Deutsch
| Artikelnummer: | MT46V64M8P-6T:F |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Micron Technology |
| Teil der Beschreibung.: | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.3514 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 15ns |
| Spannungsversorgung | 2.3V ~ 2.7V |
| Technologie | SDRAM - DDR |
| Supplier Device-Gehäuse | 66-TSOP |
| Serie | - |
| Verpackung / Gehäuse | 66-TSSOP (0.400', 10.16mm Width) |
| Paket | Tray |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Speichertyp | Volatile |
| Speichergröße | 512Mbit |
| Speicherorganisation | 64M x 8 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Speicherformat | DRAM |
| Uhrfrequenz | 167 MHz |
| Grundproduktnummer | MT46V64M8 |
| Zugriffszeit | 700 ps |
| MT46V64M8P-6T:F Einzelheiten PDF [English] | MT46V64M8P-6T:F PDF - EN.pdf |




MT46V64M8P-6T:F
Micron Technology Inc.
Der MT46V64M8P-6T:F ist ein flüchtiger DRAM-Speicherchip mit SDRAM- und DDR-Technologie, einem Speichervolumen von 512 Mbit und einer Speicherkonfiguration von 64M × 8. Er eignet sich ideal für Anwendungen, die hohe Leistung sowie Zuverlässigkeit erfordern.
– Speichertyp: Flüchtiger Speicher
– Speicherformat: DRAM
– Technologietyp: SDRAM - DDR
– Speicherkapazität: 512 Mbit
– Speicherorganisation: 64M × 8
– Speicherschnittstelle: Parallel
– Taktfrequenz: 167 MHz
– Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15 ns
– Zugriffszeit: 700 ps
– Versorgungsspannung: 2,3V – 2,7V
– Betriebstemperatur: 0°C bis 70°C
– Montageart: Oberflächenmontage
– Gehäuse / Verpackung: 66-TSSOP (0,400 Zoll, 10,16 mm Breite)
– Gehäusetyp: 66-TSOP
– Hochleistungsfähige SDRAM - DDR-Speicherlösung
– Zuverlässiger und energieeffizienter Betrieb
– Unterstützung eines breiten Temperaturbereichs
Der MT46V64M8P-6T:F wird in einem 66-TSSOP-Gehäuse mit 0,400 Zoll Breite und einem 66-TSOP-Gehäuse für den Lieferanten bereitgestellt, was eine einfache Oberflächenmontage ermöglicht.
Dieses Produkt ist nicht mehr erhältlich. Kunden werden gebeten, unser Verkaufsteam über unsere Website zu kontaktieren, um Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen zu erhalten.
Der MT46V64M8P-6T:F eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen, die hohe Leistungsfähigkeit, Zuverlässigkeit und energieeffiziente SDRAM - DDR-Speicherlösungen erfordern.
Das offizielle Datenblatt für den MT46V64M8P-6T:F steht auf unserer Website zum Download bereit. Kunden werden empfohlen, dieses herunterzuladen.
Kunden werden geraten, Angebote direkt auf unserer Website anzufragen. Erhalten Sie ein Angebot oder informieren Sie sich weiter über dieses Produkt.
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
MT46V64M8P-6TIT MICRON
MT46V64M8P-6T MICRON
MICRON TSOP66
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP
MT46V64M8P-6T:C MICRON
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP
MICRON NA
MT46V64M8P-6TIT:F MICRON
MICRON TSOP
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel







2024/06/19
2025/03/31
2025/02/11
2025/02/27
MT46V64M8P-6T:FMicron Technology Inc. |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|