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| Artikelnummer: | RSR030N06TL |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.5617 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TSMT3 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 3A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 540mW (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | SC-96 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 380 pF @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3A (Ta) |
| Grundproduktnummer | RSR030 |
| RSR030N06TL Einzelheiten PDF [English] | RSR030N06TL PDF - EN.pdf |




RSR030N06TL
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Der RSR030N06TL ist ein N-Kanal MOSFET von ROHM Semiconductor. Er zeichnet sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand aus und ist für verschiedene Stromversorgungs- und Schaltanwendungen geeignet.
N-Kanal MOSFET
Niedriger Einschaltwiderstand
60V Drain-Source-Spannung
3A Dauer-Drainstrom
Oberflächenmontages Gehäuse
Effiziente Stromumwandlung und Steuerung
Zuverlässige Leistung
Kompakte Bauform für platzsparende Designs
Cut Tape (CT) & Digi-Reel® Verpackung
TSMT3 Oberflächenmontagegehäuse
SC-96 Gehäuse
Dieses Produkt wird für neue Designs nicht empfohlen
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Netzteile
Schaltkreise
Motorsteuerung
Industrielle Automatisierung
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RSR030N06FRA ROHM
SSR RELAY SPST-NO 12MA 3-10V
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RSR030N06TLRohm Semiconductor |
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Zielpreis (USD)
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