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| Artikelnummer: | RSR010N10TL |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 5+ | $0.2363 |
| 50+ | $0.1833 |
| 150+ | $0.1607 |
| 500+ | $0.1325 |
| 3000+ | $0.1199 |
| 6000+ | $0.1123 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TSMT3 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 520mOhm @ 1A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 540mW (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | SC-96 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 140 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.5 nC @ 5 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1A (Ta) |
| Grundproduktnummer | RSR010 |
| RSR010N10TL Einzelheiten PDF [English] | RSR010N10TL PDF - EN.pdf |




RSR010N10TL
Y-IC ist ein qualitativ hochwertiger Distributor für Produkte von ROHM Semiconductor. Wir bieten Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der RSR010N10TL ist ein leistungsstarker N-Kanal-MOSFET von ROHM Semiconductor. Er wurde für vielfältige Anwendungen entwickelt, einschließlich Netzteile, Motorantriebe und andere elektronische Geräte, die effizientes Schalten von Leistung erfordern.
N-Kanal-MOSFET
MOSFET-Technologie (Metal Oxide)
100 V Drain-Source-Spannung (Vdss)
1 A Daueranlaufstrom (Id) bei 25 °C
Maximaler On-Widerstand (Rds(on)) von 520 mOhm bei 1 A und 10 V
Maximaler Gate-Ladung (Qg) von 3,5 nC bei 5 V
Spannungsfestigkeit am Gate-Source (Vgs) von ±20 V
Maximaler Eingangskapazität (Ciss) von 140 pF bei 25 V
Effizientes Schalten von Leistung für Hochleistungsanwendungen
Robustes Design für zuverlässigen Betrieb
Geringer On-Widerstand für minimale Energieverluste
Kompaktes Oberflächenmontage-Gehäuse für platzbegrenzte Designs
Cut Tape (CT) & Digi-Reel® Verpackung
TSMT3 Oberflächenmontagegehäuse
SC-96 Gehäuse / Case
Dieses Produkt wird für neue Konstruktionen nicht empfohlen.
Entsprechende oder alternative Modelle sind möglicherweise erhältlich. Kontaktieren Sie unser Vertriebsteam für weitere Informationen.
Netzteile
Motorantriebe
Industrieelektronik
Automobilindustrie
Das aktuellste Datenblatt für den RSR010N10TL steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Kunden werden ermutigt, es für detaillierte technische Informationen herunterzuladen.
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MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
Cord Grip, 1-1/2in., 1.250in.-1.
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RSR010N10TLRohm Semiconductor |
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Zielpreis (USD)
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