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| Artikelnummer: | RUE002N02TL |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3 |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 10+ | $0.0534 |
| 100+ | $0.0419 |
| 300+ | $0.0361 |
| 3000+ | $0.0317 |
| 6000+ | $0.0283 |
| 9000+ | $0.0265 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | EMT3 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V |
| Verlustleistung (max) | 150mW (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | SC-75, SOT-416 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 25 pF @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 2.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 200mA (Ta) |
| Grundproduktnummer | RUE002 |
| RUE002N02TL Einzelheiten PDF [English] | RUE002N02TL PDF - EN.pdf |




RUE002N02TL
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von ROHM Semiconductor Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Services.
Der RUE002N02TL ist ein N-Kanal-MOSFET von ROHM Semiconductor. Es handelt sich um einen kleine Signal-LeistungsmOSFET mit einer Kanal-zu-Quelle-Spannung von 20V und einem maximalen Dauer-Drain-Strom von 200mA bei 25°C.
– N-Kanal-MOSFET\n– Drain-zu-Quelle-Spannung (Vdss): 20V\n– Kontinuierlicher Drain-Strom (Id): 200mA bei 25°C\n– Einschaltwiderstand (Rds(on)): 1,2Ω bei 200mA, 2,5V\n– Gate-Threshold-Spannung (Vgs(th)): 1V bei 1mA\n– Gate-zu-Quelle-Spannung (Vgs): ±8V\n– Eingangs-Kapazität (Ciss): 25pF bei 10V\n– Leistungsaufnahme (Pd): 150mW bei 25°C
– Kleine Gehäusegröße (SC-75, SOT-416) für kompakte Designs\n– Niedriger Einschaltwiderstand für effizienten Leistungsschalterbetrieb\n– Weitgehender Gate-zu-Quelle-Spannungsbereich für flexible Steuerung\n– Vielseitig einsetzbar in Anwendungen wie Energiemanagement, Schaltkreise und Verstärkung
Verpackt im Cut Tape (CT) und Digi-Reel®\nKleines Oberflächenmontagegehäuse (SMT) (SC-75, SOT-416)
Der RUE002N02TL ist ein aktives Produkt.\nÄquivalente oder alternative Modelle sind möglicherweise erhältlich. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam für weitere Informationen.
Stromverwaltungsschaltungen\nSchaltkreise\nVerstärkungsschaltungen\nAllgemeine elektronische Anwendungen
Das aktuellste Datenblatt für den RUE002N02TL steht auf unserer Website zum Download bereit. Kunden werden ermutigt, es für die neuesten Produktspezifikationen und technischen Informationen herunterzuladen.
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RUE002N02TLRohm Semiconductor |
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