Deutsch

| Artikelnummer: | RS1G180MNTB |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 40V 18A/80A 8HSOP |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.0259 |
| 10+ | $0.8517 |
| 30+ | $0.7566 |
| 100+ | $0.6483 |
| 500+ | $0.5356 |
| 1000+ | $0.5151 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-HSOP |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 18A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 3W (Ta), 30W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1293 pF @ 20 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.5 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 18A (Ta), 80A (Tc) |
| Grundproduktnummer | RS1G |
| RS1G180MNTB Einzelheiten PDF [English] | RS1G180MNTB PDF - EN.pdf |




RS1G180MNTB
Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner für Produkte von ROHM Semiconductor. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der RS1G180MNTB ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET in einem kompakten 8-PowerTDFN-Flächeinbaugehäuse. Er wurde für eine Vielzahl von Anwendungen in der Stromwandlung und -steuerung entwickelt.
40V Drain-Source-Spannung (Vdss)
18A Dauer-Drain-Strom bei 25°C
Maximale On-Widerstand (Rds(on)) von 7 mΩ
Maximale Gate-Ladung (Qg) von 19,5 nC
Bis zu ±20V maximale Gate-Source-Spannung (Vgs)
Herausragende thermische Performance und niedriger On-Widerstand für effiziente Energieumwandlung
Kompaktes 8-PowerTDFN-Gehäuse für platzsparende Designs
Robuste elektrische Eigenschaften für eine zuverlässige Funktion
Der RS1G180MNTB ist in einem 8-PowerTDFN-Flächeinbaugehäuse verpackt. Die Abmessungen des Gehäuses sind 3,3 mm x 3,3 mm bei einer maximalen Höhe von 0,9 mm. Das Gehäuse hat einen thermischen Widerstand von 22,5°C/W (Junction-to-Case) und 62,5°C/W (Junction-to-Ambient).
Der RS1G180MNTB ist ein aktives Produkt. Es gibt gleichwertige oder alternative Modelle von ROHM Semiconductor. Wenn Sie Unterstützung bei der Produktauswahl benötigen, kontaktieren Sie bitte unser Vertriebsteam über unsere Website.
Netzteile
Motorentreiber
DC-DC-Wandler
Beleuchtungsund Gerätesteuerung
Das umfassendste Datenblatt für den RS1G180MNTB steht auf unserer Website zum Download bereit. Wir empfehlen Kunden, das Datenblatt für vollständige technische Details herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote über unsere Website einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unseren zeitlich begrenzten Angeboten zu profitieren.
RS1G300GN ROHM
RS1G180MN ROHM
MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP
150NS, 1A, 400V, FAST RECOVERY R
DIODE GEN PURP 400V 1A THIN SMA
ROHM DFN8
MOSFET P-CH 40V 20A/78A 8HSOP
RS1G260MN ROHM
MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
RS1G120MN TB ROHM
RS1G150MN ROHM
DIODE GEN PURP 400V 1A SMB
MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP
MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP
ROHM DFN5X6
RS1G120MN ROHM
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel




2025/01/23
2025/02/17
2025/01/24
2025/01/27
RS1G180MNTBRohm Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|