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| Artikelnummer: | RQ3E150BNTB |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.2357 |
| 200+ | $0.094 |
| 500+ | $0.091 |
| 1000+ | $0.0894 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-HSMT (3.2x3) |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3mOhm @ 15A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2W (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerVDFN |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 15A (Ta) |
| Grundproduktnummer | RQ3E150 |
| RQ3E150BNTB Einzelheiten PDF [English] | RQ3E150BNTB PDF - EN.pdf |




RQ3E150BNTB
ROHM Semiconductor ist ein Qualitätsdistributor, der seinen Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen bietet.
Der RQ3E150BNTB ist ein 30V, 15A N-Kanal-MOSFET in einem 8-PowerVDFN-Gehäuse.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung von 30V
Kontinuierlicher Drain-Strom von 15A
Maximale On-Widerstand von 5,3 mΩ
Maximale Gate-Ladung von 45 nC
Hohe Strombelastbarkeit
Geringer On-Widerstand für effiziente Energieumwandlung
Kompaktes PowerVDFN-Gehäuse für platzsparende Designs
Stückliste (Cut Tape) & Digi-Reel® Verpackung
8-PowerVDFN-Gehäuse
Oberflächenmontage
Das Produkt RQ3E150BNTB ist aktiv erhältlich
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