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| Artikelnummer: | RQ3E130MNTB1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8 |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.2859 |
| 10+ | $0.2516 |
| 30+ | $0.2373 |
| 100+ | $0.2188 |
| 500+ | $0.1802 |
| 1000+ | $0.1759 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-HSMT (3.2x3) |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.1mOhm @ 13A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2W (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerVDFN |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 840 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 13A (Ta) |
| Grundproduktnummer | RQ3E130 |
| RQ3E130MNTB1 Einzelheiten PDF [English] | RQ3E130MNTB1 PDF - EN.pdf |




RQ3E130MNTB1
ROHM Semiconductor – Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von ROHM-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der RQ3E130MNTB1 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 30 V und einem ständigen Drain-Strom von 13 A bei 25 °C. Er zeichnet sich durch geringe On-Widerstände und schnelle Schaltzeiten aus, wodurch er für verschiedene Anwendungen im Energiemanagement bestens geeignet ist.
N-Kanal-MOSFET
30 V Drain-Source-Spannung
13 A Dauer-Drain-Strom
Geringe On-Widerstände
Schnelle Schaltzeiten
Hervorragende Energieeffizienz
Zuverlässige Leistung
Vielseitig einsetzbar in Energiemanagement-Systemen
Tape & Reel (TR) Verpackung
8-PowerVDFN Gehäuse (3,2 x 3 mm)
Oberflächenmontage-Design
Für neue Designs nicht empfohlen
Es sind möglicherweise gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich. Bitte wenden Sie sich an unser Vertriebsteam für weitere Informationen.
Stromversorgungssteuerkreise
Gleichstrom-zu-Gleichstrom-Wandler (DC-DC-Konverter)
Motorentreiber
Schaltregler
Das umfassendste technische Datenblatt zum RQ3E130MNTB1 finden Sie auf unserer Website. Wir empfehlen Kunden, das Datenblatt für vollständige technische Details herunterzuladen.
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RQ3E130MNTB1Rohm Semiconductor |
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Zielpreis (USD)
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