Deutsch

| Artikelnummer: | RP1E100RPTR |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 30V 10A MPT6 |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | MPT6 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.6mOhm @ 10A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2W (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | 6-SMD, Flat Leads |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3600 pF @ 10 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 5 V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 10A (Ta) |
| Grundproduktnummer | RP1E0100 |
| RP1E100RPTR Einzelheiten PDF [English] | RP1E100RPTR PDF - EN.pdf |




RP1E100RPTR
LAPIS Semiconductor
Der RP1E100RPTR ist ein P-Kanal-MOSFET von LAPIS Semiconductor, geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen.
– P-Kanal-MOSFET
– 30V Drain-Source-Spannung
– 10A Dauerlaststrom
– Maximale On-Widerstand von 12,6 mOhm
– Maximaler Gate-Schwellenwert von 2,5V
– Maximale Gate-Ladung von 39 nC
– Maximale Eingangs-Kapazität von 3600 pF
– Niedriger On-Widerstand für effizienten Leistungsschalterbetrieb
– Hohe Strombelastbarkeit
– Vielseitig einsetzbar für Strommanagement und Steuerungsanwendungen
Tape & Reel (TR) Verpackung
MPT6 Gehäuse
Oberflächenmontage, 6-SMD, flache Anschlüsse
Entwickelt für automatisierte Hochvolumenmontage
Dieses Produkt ist derzeit verfügbar und befindet sich nicht in Naherahmung der Einstellung.
Derzeit sind keine direkten Ersatz- oder Alternativmodelle verfügbar.
Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Webseite.
– Strommanagement
– Motorsteuerung
– Schaltnetzteile
– Verstärker
– Allgemeine Leistungsschalteranwendungen
Das offizielle Datenblatt für den RP1E100RPTR finden Sie auf unserer Webseite. Es wird empfohlen, es herunterzuladen, um detaillierte Spezifikationen und Leistungsdaten zu erhalten.
Fordern Sie jetzt ein Angebot für den RP1E100RPTR auf unserer Webseite an. Nutzen Sie dieses zeitlich begrenzte Angebot und erhalten Sie Ihr individuelles Angebot.
MOSFET N-CH 30V 9A MPT6
MOSFET N-CH 60V 5.5A MPT6
MOSFET N-CH 30V 10A MPT6
MOSFET P-CH 45V 6.5A MPT6
RP1E100XN ROHM
ROHM MPT6
RP1E100RNFPFT ROHM
RP1E100RNFPFTR ROHM
SANKEN 0.1A2000V
ROHM SOP6
RP1E090XNFPFTCR ROHM
RP1E090RPFX3TR ROHM
MOSFET N-CH 30V 12.5A MPT6
MOSFET P-CH 30V 9A MPT6
ROHM SOP-6
ROHM MPT6
RP1E090RP ROHM
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/08/1
2025/01/24
2024/09/10
2025/01/9
RP1E100RPTRRohm Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|