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| Artikelnummer: | RHU002N06T106 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 10+ | $0.0476 |
| 100+ | $0.0372 |
| 300+ | $0.0321 |
| 3000+ | $0.0283 |
| 6000+ | $0.0252 |
| 9000+ | $0.0236 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | UMT3 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4Ohm @ 200mA, 10V |
| Verlustleistung (max) | 200mW (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | SC-70, SOT-323 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 15 pF @ 10 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.4 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 200mA (Ta) |
| Grundproduktnummer | RHU002 |
| RHU002N06T106 Einzelheiten PDF [English] | RHU002N06T106 PDF - EN.pdf |




RHU002N06T106
ROHM Semiconductor ist ein vertrauenswürdiger Hersteller hochwertiger elektronischer Komponenten. Y-IC ist ein zuverlässiger Händler von ROHM-Produkten und bietet Kunden erstklassige Produkte und Dienstleistungen.
Der RHU002N06T106 ist ein N-Kanal-MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor-Feldeffekttransistor) mit einer Spannungsfestigkeit von 60 V zwischen Drain und Source sowie einem Dauerstrom von 200 mA bei 25 °C. Er ist für vielfältige Anwendungsbereiche konzipiert.
N-Kanal-MOSFET
60 V Drain-Source-Spannung
200 mA Dauerstrom bei 25 °C
Maximale On-Widerstand (R_DS(on)): 2,4 Ω bei 200 mA, 10 V
Maximale Gate-Ladung (Q_G): 4,4 nC bei 10 V
Maximale Gate-Source-Spannung (V_GS): u00b120 V
Effiziente Schaltleistung
Zuverlässiges und robustes Design
Vielseitig einsetzbar in verschiedenen Anwendungen
Gehäusetyp: SC-70, SOT-323
Verpackungsart: Cut Tape (CT) & Digi-Reelu00ae
Thermische und elektrische Eigenschaften: Detaillierte Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
Für neue Designs nicht empfohlen.
Kunden werden gebeten, sich für Informationen zu äquivalenten oder alternativen Modellen an unser Verkaufsteam über die Y-IC-Website zu wenden.
Netzteile
Motorsteuerungen
Schaltkreise
Allgemeine Schaltanwendungen
Das aktuellste und autoritativste Datenblatt für den RHU002N06T106 ist auf der Y-IC-Website verfügbar. Kunden werden ermutigt, das Datenblatt für detaillierte Produktspezifikationen herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, auf der Y-IC-Website Angebote für den RHU002N06T106 anzufordern. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unserem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren.
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RHU002N06T106Rohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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