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| Artikelnummer: | RHU002N06FRAT106 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3 |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.1506 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | UMT3 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4Ohm @ 200mA, 10V |
| Verlustleistung (max) | 200mW (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | SC-70, SOT-323 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 15 pF @ 10 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.4 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 200mA (Ta) |
| Grundproduktnummer | RHU002 |
| RHU002N06FRAT106 Einzelheiten PDF [English] | RHU002N06FRAT106 PDF - EN.pdf |




RHU002N06FRAT106
LAPIS Semiconductor
Der RHU002N06FRAT106 ist ein spezialisiertes thermisches integriertes Schaltkreis (IC) von LAPIS Semiconductor, das für besondere Anwendungen entwickelt wurde.
Spezieller Hochtemperatur-IC
Fortschrittliche Halbleitertechnologie
Kompaktes SOT-323-Gehäuse
Optimierte Leistung für gezielte Anwendungen
Zuverlässige und langlebige Bauweise
Effizientes Wärmeund Temperaturmanagement
SOT-323-Gehäuse
Kompaktes Design
Spezifische Pins-Konfiguration
Angepasste thermische und elektrische Eigenschaften
Dieses Produkt ist derzeit verfügbar und befindet sich nicht in der Auslaufphase.
Es können gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich sein. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam für weitere Informationen.
Spezialisierte Hochtemperatur-Anwendungen
Einzigartige Einsatzbereiche, die fortschrittliche Halbleitertechnologie erfordern
Das umfassendste Datenblatt für den RHU002N06FRAT106 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den RHU002N06FRAT106 auf unserer Webseite einzuholen. Holen Sie ein Angebot ein oder erfahren Sie mehr über dieses zeitlich begrenzte Angebot.
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RHU002N06FRAT106Rohm Semiconductor |
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Zielpreis (USD)
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