Deutsch

| Artikelnummer: | RGTH60TS65DGC11 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT TRNCH FIELD 650V 58A TO247N |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.5628 |
| 200+ | $0.6057 |
| 450+ | $0.5839 |
| 900+ | $0.5737 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 650 V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 30A |
| Testbedingung | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 27ns/105ns |
| Schaltenergie | - |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-247N |
| Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 58 ns |
| Leistung - max | 194 W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Gate-Ladung | 58 nC |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 58 A |
| Grundproduktnummer | RGTH60 |
| RGTH60TS65DGC11 Einzelheiten PDF [English] | RGTH60TS65DGC11 PDF - EN.pdf |




RGTH60TS65DGC11
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von Produkten von ROHM Semiconductor und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der RGTH60TS65DGC11 ist ein Trench Feldelektroden-IGBT von ROHM Semiconductor. Es handelt sich um ein einzelnes IGBT-Gerät, das für eine Vielzahl von Leistungs-elektronik-Anwendungen geeignet ist.
Trench Feldelektroden-IGBT-Technologie
Kollektor-Emitter Durchbruchspannung von 650 V
Maximaler Kollektorstrom von 58 A
Vce(on) von 2,1 V bei 15 V, 30 A
Maximaler Leistung Dissipation von 194 W
Betriebstemperaturbereich von -40°C bis 175°C
Durchkontaktierte Gehäusevariante TO-247-3
Herausragende Schaltleistungen
Hohe Leistungsdichte
Zuverlässiger Betrieb bei hohen Temperaturen
Röhrröhre-Verpackung
Durchkontaktierte Gehäusevariante TO-247-3
Pin-Konfiguration: Kollektor, Gate, Emitter
Geeignet für Hochleistungsund Hochspannungsanwendungen
Für neue Designs wird dieses Produkt nicht empfohlen.
Alternativoder Ersatzmodelle könnten verfügbar sein. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam für weitere Informationen.
Netzteile
Motorantriebe
Wechselrichter
Industrielle Geräte
Das aktuellste Datenblatt für den RGTH60TS65DGC11 ist auf unserer Website verfügbar. Kunden werden ermutigt, es herunterzuladen, um vollständige technische Details zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den RGTH60TS65DGC11 auf unserer Website einzuholen. Fordern Sie noch heute ein Angebot an und nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Angebot!
IGBT TRNCH FIELD 650V 70A TO247G
IGBT TRNCH FIELD 650V 58A TO247N
IGBT TRENCH FIELD 650V 58A TO247
IGBT TRNCH FIELD 650V 26A TO3PFM
IGBT TRNCH FIELD 650V 31A TO3PFM
IGBT TRNCH FIELD 650V 50A TO247N
ROHM TO-247
ROHM TO-3P
IGBT TRNCH FIELD 650V 31A TO3PFM
IGBT TRNCH FIELD 650V 50A TO247G
IGBT TRNCH FIELD 650V 70A TO247G
IGBT TRNCH FIELD 650V 28A TO3PFM
IGBT TRENCH FIELD 650V 58A TO247
ROHM TO-247
IGBT TRNCH FIELD 650V 70A TO247N
IGBT TRNCH FIELD 650V 70A TO247N
IGBT TRNCH FIELD 650V 50A TO247N
IGBT TRNCH FIELD 650V 50A TO247G
ROHM TO-247
IGBT TRNCH FIELD 650V 28A TO3PFM
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2024/08/22
2025/02/23
2025/03/6
2024/11/13
RGTH60TS65DGC11Rohm Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|