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| Artikelnummer: | RGT80TS65DGC11 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT 650V 70A 234W TO-247N |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $4.3349 |
| 10+ | $3.8894 |
| 100+ | $3.1868 |
| 500+ | $2.7128 |
| 1000+ | $2.3126 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 650 V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 40A |
| Testbedingung | 400V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 34ns/119ns |
| Schaltenergie | - |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-247N |
| Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 58 ns |
| Leistung - max | 234 W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Gate-Ladung | 79 nC |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 70 A |
| Grundproduktnummer | RGT80 |
| RGT80TS65DGC11 Einzelheiten PDF [English] | RGT80TS65DGC11 PDF - EN.pdf |




RGT80TS65DGC11
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von LAPIS Semiconductor-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der RGT80TS65DGC11 ist ein einzelner IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) von LAPIS Semiconductor. Es handelt sich um ein diskretes Halbleiterbauelement und gehört zur Kategorie Transistoren - IGBTs - Einzel. Dieser IGBT ist ideal für Hochleistungsanwendungen im Bereich der Leistungselektronik.
Trench-Feldstopp IGBT-Technologie\nHohe Spannungsfestigkeit von 650V\nHohe Strombelastbarkeit von 70A\nSchnelles Schalten mit einer Rückwärtserholzeit von 58ns
Hervorragende Leistung für leistungselektronische Anwendungen\nRobustes und zuverlässiges Design\nRoHS-konform und bleifrei
Verpackt in einem TO-247N-Durchsteck-gehäuse\nRohrverpackung\nBetriebstemperaturbereich von -40°C bis 175°C
Dieses Produkt steht nicht vor der Einstellung der Produktion\nEs sind gleichwertige oder alternative IGBT-Modelle von LAPIS Semiconductor erhältlich. Bitte kontaktieren Sie unser Verkaufsteam für weitere Informationen.
Stromversorgungen\nMotorantriebe\nWechselrichter\nSchweißgeräte\nInduktionsheizungen
Das offizielle Datenblatt für den RGT80TS65DGC11 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte Produktspezifikationen und Leistungsdaten herunterzuladen.
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RGT80TS65DGC11Rohm Semiconductor |
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Zielpreis (USD)
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