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| Artikelnummer: | R5009ANX |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 500V 9A TO220 |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.9873 |
| 200+ | $0.3941 |
| 500+ | $0.3807 |
| 1000+ | $0.3747 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220FM |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 720mOhm @ 4.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 50W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 650 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9A (Tc) |
| Grundproduktnummer | R5009 |
| R5009ANX Einzelheiten PDF [English] | R5009ANX PDF - EN.pdf |




R5009ANX
ROHM Semiconductor ist ein renommierter Hersteller hochwertiger elektronischer Bauteile. Y-IC ist ein autorisierter Distributor von ROHM-Produkten und gewährleistet, dass Kunden die besten Produkte und Serviceleistungen erhalten.
Der R5009ANX ist ein Hochspannungs-N-Kanal-MOSFET mit einer Kanal-zu-Quelle-Spannung von 500V und einem dauerhaften Drain-Strom von 9A bei 25°C. Er zeichnet sich durch niedrigen On-Widerstand und schnelle Schaltzeiten aus und eignet sich daher ideal für vielfältige Anwendungen in der Stromkonversion und -steuerung.
Hohe Drain-zu-Quelle-Spannung: 500V
Hoher Dauer-Drain-Strom: 9A bei 25°C
Niedriger On-Widerstand: 720mΩ bei 4,5A, 10V
Schnelle Schaltzeiten
Eignet sich für Hochspannungsund Hochstromanwendungen in der Energieumwandlung und -steuerung
Effizientes Energiemanagement durch niedrigen On-Widerstand
Zuverlässige Leistung dank robuster MOSFET-Konstruktion
Der R5009ANX ist in einem TO-220-3 Gehäuse mit Vollverbauschung für Durchsteckmontage verpackt. Das Gehäuse bietet thermische und elektrische Eigenschaften, die die Leistung des Bauteils unterstützen.
Der R5009ANX wird für neue Designs nicht mehr empfohlen, da er möglicherweise aus dem Sortiment genommen wird. Es sind jedoch vergleichbare oder alternative Modelle von ROHM Semiconductor erhältlich. Kunden werden gebeten, sich an das Vertriebsteam von Y-IC zu wenden, um weitere Informationen zu verfügbaren Alternativen zu erhalten.
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Das aktuellste und zuverlässigste Datenblatt für den R5009ANX ist auf der Y-IC-Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um umfassende technische Informationen zum Produkt zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den R5009ANX auf der Y-IC-Website einzuholen. Besuchen Sie die Produktseite und klicken Sie auf den Button ‚Angebot anfordern‘, um den Prozess zu starten.
R5009FNX FDPF10N50FT VB
R5009ANX FDPF10N50FT VB
R5009ANJ FU7TL ROHOM
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