Deutsch
| Artikelnummer: | IPP50R199CPXKSA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 550V 17A TO220-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.6074 |
| 30+ | $1.5287 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 660µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PG-TO220-3-1 |
| Serie | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 199mOhm @ 9.9A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 139W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 100 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 550 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 17A (Tc) |
| Grundproduktnummer | IPP50R199 |
| IPP50R199CPXKSA1 Einzelheiten PDF [English] | IPP50R199CPXKSA1 PDF - EN.pdf |




IPP50R199CPXKSA1
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Produkten der Infineon Technologies und bietet Kunden die besten Produkte und Services.
Der IPP50R199CPXKSA1 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET von Infineon Technologies. Er nutzt die CoolMOS™-Technologie, die hohe Effizienz und geringe Leitungsverluste garantiert.
N-Kanal-MOSFET\nDrain-Source-Spannung: 550 V\nKontinuierlicher Drain-Strom: 17 A\nOn-Widerstand: 199 mOhm\nCoolMOS™-Technologie
Hohe Effizienz und geringe Leitungsverluste\nGeeignet für Hochspannungsund Hochleistungsanwendungen\nZuverlässige und robuste Leistung
Gehäuse: TO-220-3\nDurchsteckmontage\n3-Pin-Konfiguration\nOptimal für Hochleistungsund Wärmeanwendungen
Dieses Produkt wird für neue Designs nicht empfohlen. Es sind jedoch gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich. Bitte wenden Sie sich bei Interesse an unser Vertriebsteam über die Webseite.
Schaltnetzteile\nMotorsteuerungen\nWechselrichter\nHochspannungsund Hochleistungsanwendungen
Das offizielle technische Datenblatt für den IPP50R199CPXKSA1 steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Wir empfehlen, es für vollständige Produktspezifikationen und technische Details herunterzuladen.
Kunden können auf unserer Webseite Angebote für den IPP50R199CPXKSA1 anfragen. Holen Sie sich jetzt ein Angebot und profitieren Sie von unserem zeitlich begrenzten Sonderangebot!
IPP50R199 - 500V COOLMOS N-CHANN
MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-3
N-CHANNEL POWER MOSFET
LOW POWER_LEGACY
IPP50R299CP (5R299P) INFINEO
MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Infineon PG-T0220
IPP50R280CE Infineo
INFINEON TO-220
IPP50R140CP(5R140P) INFINEON
MOSFET N-CH 550V 23A TO220-3
IPP50R250CP INFINEO
MOSFET N-CH 550V 17A TO220-3
MOSFET N-CH 550V 23A TO220-3
N-CHANNEL POWER MOSFET
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2024/12/4
2025/01/15
2025/07/22
2024/10/23
IPP50R199CPXKSA1Infineon Technologies |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|