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| Artikelnummer: | DTD743EETL |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.179 |
| 200+ | $0.0715 |
| 500+ | $0.069 |
| 1000+ | $0.0679 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 30 V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased |
| Supplier Device-Gehäuse | EMT3 |
| Serie | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 4.7 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
| Leistung - max | 150 mW |
| Verpackung / Gehäuse | SC-75, SOT-416 |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Frequenz - Übergang | 260 MHz |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 115 @ 100mA, 2V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 200 mA |
| Grundproduktnummer | DTD743 |
| DTD743EETL Einzelheiten PDF [English] | DTD743EETL PDF - EN.pdf |




DTD743EETL
LAPIS Semiconductor
Der DTD743EETL ist ein vor-aktivierter NPN-Bipolartransistorkomponenten in einer Oberflächenmontagepackung des Typs SC-75, SOT-416. Er wird als hochwertiges Produkt von LAPIS Semiconductor hergestellt und bietet eine zuverlässige Leistung für vielfältige Anwendungen.
Vorausaktivierter NPN-Bipolartransistor, Oberflächenmontage im SC-75, SOT-416 Gehäuse, 150mW Leistungsaufnahme, 200mA Kollektorstrom, 30V Kollektor-Emitter-Spannungsfestigkeit, 260MHz Übergangsfrequenz
Einfache Integration durch Voraktivierung, Kompaktes Gehäuse für platzsparende Designs, Hohe Leistungsfähigkeit bei Strom- und Spannungsbelastung, Schnelle Schaltleistung für High-Speed-Anwendungen
Digi-Reel; Oberflächenmontage (SMD); Gehäuse: SC-75, SOT-416; Lieferantenpaket: EMT3; Max. Leistung: 150mW; Transistortyp: NPN, vor-aktiviert; Max. Kollektorstrom: 200mA; Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V; Vce-Sättigung: 300mV bei 2,5mA, 50mA; Max. Kollektor-Stromabschaltung: 500nA; DC-Gain (hFE): mindestens 115 bei 100mA, 2V; Übergangsfrequenz: 260MHz; Basiswiderstand R1: 4,7kΩ; Emitter-Base-Widerstand R2: 4,7kΩ
Das DTD743EETL ist ein aktives Produkt ohne derzeit verfügbare äquivalente oder alternative Modelle. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Verkaufsteam über unsere Website.
Allgemeine Verstärker- und Schaltanwendungen, Mikroprozessor- und Logikschaltungen, Energiemanagement- und Steuerungssysteme
Das aktuellste Datenblatt für den DTD743EETL ist auf unserer Website verfügbar. Kunden werden ermutigt, das Datenblatt herunterzuladen, um umfassende Produktspezifikationen und technische Details zu erhalten.
Kunden wird empfohlen, Angebote für den DTD743EETL auf unserer Website einzuholen. Fordern Sie noch heute ein Angebot an oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt!
DTD743EE TL ROHM
TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
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DTD743EETLRohm Semiconductor |
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