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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTD543XMT2L
Rohm Semiconductor
Image kann eine Darstellung sein.
siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Rohm Semiconductor DTD543XMT2L

Artikelnummer: DTD543XMT2L
Hersteller / Marke: LAPIS Technology
Teil der Beschreibung.: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
Datenblätte:
1.DTD543XMT2L.pdf ···

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  • Rohm Semiconductor DTD543XMT2L technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor DTD543XMT2L .
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 12 V
    VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 100mA
    Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
    Supplier Device-Gehäuse VMT3
    Serie -
    Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms
    Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms
    Leistung - max 150 mW
    Verpackung / Gehäuse SOT-723
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Paket Tape & Reel (TR)
    Befestigungsart Surface Mount
    Frequenz - Übergang 260 MHz
    DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 140 @ 100mA, 2V
    Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
    Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA
    Grundproduktnummer DTD543
    DTD543XMT2L Einzelheiten PDF [English] DTD543XMT2L PDF - EN.pdf
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    Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, um sicherzustellen, dass sie sich in einwandfreiem Zustand befinden, und verifizieren, dass die Teile neu, original und gemäß den Datenblattspezifikationen sind. Nachdem bestätigt wurde, dass alles in Ordnung ist, verpacken wir die Artikel sicher und versenden sie per internationalem Expressversand.

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    2026/04/20

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    LM5145RGYR works fine in a DC-DC power design. Efficiency is good, but layout needs to be carefully optimized.

    2026/04/17

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    Used the FF900R12IP4 in an automotive inverter project. Power handling is solid and thermal performance is stable under load.

    2026/04/8

  • Vipe***rcuit

    One unit failed during initial power-up, but the rest were fine. Mixed experience overall.

    2026/03/31

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