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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTD143ECT216
Rohm Semiconductor
DTD143ECT216 Image
Image kann eine Darstellung sein.
siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Rohm Semiconductor DTD143ECT216

Artikelnummer: DTD143ECT216
Hersteller / Marke: LAPIS Technology
Teil der Beschreibung.: TRANS PREBIAS NPN 200MW SST3
Datenblätte:
1.DTD143ECT216.pdf ···

Datenblätter

DTD143Ex.pdf

DTD143ECT216 Seite PDF

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RoHs Status:
Zahlungsmittel: PayPal / Credit Card / T/T
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  • Qualitätskontrolle und Verpackung
  • Rohm Semiconductor DTD143ECT216 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor DTD143ECT216 .
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V
    VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
    Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
    Supplier Device-Gehäuse SST3
    Serie -
    Widerstand - Emitterbasis (R2) 4.7 kOhms
    Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms
    Leistung - max 200 mW
    Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Paket Tape & Reel (TR)
    Befestigungsart Surface Mount
    Frequenz - Übergang 200 MHz
    DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 47 @ 50mA, 5V
    Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
    Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA
    Grundproduktnummer DTD143
    DTD143ECT216 Einzelheiten PDF [English] DTD143ECT216 PDF - EN.pdf
  • Rückgabe -Richtlinien
    Die Rückgaben müssen innerhalb von 60 Tagen nach dem Datum der Rechnung angefordert werden und enthalten:
    - Originalrechnungsnummer
    - Foto der Teile
    - Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
    Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.
    Wie man kauft
    Wir unterstützen sowohl online- als auch offline -Bestellungen.Ausführliche Anleitungen zum Bestellvorgang finden Sie im folgenden Link:
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    Wenn Sie auf Probleme stoßen, wenden Sie sich gerne an unser Kundendienstteam, um Unterstützung zu erhalten.
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  • Qualitätskontrolle (QC)

    Alle Produkte unterliegen einer strengen Eingangskontrolle und Qualitätskontrolle.
    Durch standardisierte Tests und kontinuierliche Prozessverbesserung stellen wir die Teileauthentizität, korrekte Spezifikationen und zuverlässige Leistung sicher.
    Qualitätsgarantie

    Verpackung

    ESD-Antistatikschutz.
    Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt und mit ESD-Antistatikschutz versendet.Das Etikett auf der externen ESD-Verpackung enthält unsere Unternehmensinformationen: Teilenummer, Marke und Menge.

    Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, um sicherzustellen, dass sie sich in ausgezeichnetem Zustand befinden, und stellen sicher, dass die Teile neu und original sind und den Datenblattspezifikationen entsprechen.Nachdem wir bestätigt haben, dass alles in Ordnung ist, verpacken wir die Artikel sicher und versenden sie per Global Express.

DTD143ECT216 Produktdetails

Herstellerteilenummer

DTD143ECT216

Hersteller

Y-IC ist ein Qualitätsverteiler von Produkten von ROHM Semiconductor. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.

Detaillierte Beschreibung

Der DTD143ECT216 ist ein NPN-vor-Geleiteter Bipolartransistor in einem Oberflächenmontagegehäuse vom Typ TO-236-3, SC-59, SOT-23-3. Er ist für eine Vielzahl von allgemeinen Verstärker- und Schaltanwendungen konzipiert.

Schlüsselmerkmale

NPN-vor-Geleiteter Bipolartransistor

Maximaler Kollektorstrom von 500 mA

Maximaler Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung von 50 V

4,7 kΩ Basisund Emitter-Basis-Widerstände

Mindestens 47-fache DC-Stromverstärkung bei 50 mA, 5 V

Maximal 300 mV Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung bei 2,5 mA, 50 mA

Maximaler Kollektorkupferstrom von 500 nA

Übergangsfrequenz von 200 MHz

Maximale Verlustleistung von 200 mW

Wichtigste Vorteile

Kompaktes Oberflächenmontagegehäuse

Integrierte Basisund Emitter-Basis-Widerstände für einfache Bias-Anpassung

Hohe Frequenzund Leistungsfähigkeit

Geeignet für eine Vielzahl von allgemeinen Verstärkerund Schaltanwendungen

Verpackung

Der DTD143ECT216 wird in einem Oberflächenmontagegehäuse vom Typ TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 verpackt. Er ist in Cut-Tape- und Digi-Reel®-Verpackungen erhältlich.

Lebenszyklus

Der DTD143ECT216 wird für neue Designs nicht empfohlen. Es könnten gleichwertige oder alternative Modelle verfügbar sein. Bitte kontaktieren Sie unser Verkaufsteam über unsere Webseite für weitere Informationen.

Schlüsselanwendungsbereiche

Allgemeine Verstärker

Schaltkreise

Logikgatter

Treiber

Datenblatt

Das umfassendste Datenblatt für den DTD143ECT216 finden Sie auf unserer Webseite. Wir empfehlen unseren Kunden, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte Spezifikationen und Leistungsinformationen zu erhalten.

Jetzt Angebot anfordern

Kunden werden empfohlen, Angebote für den DTD143ECT216 auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie ein Angebot an, erfahren Sie mehr oder nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Angebot.

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