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| Artikelnummer: | DTD113EKT146 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 5+ | $0.0953 |
| 50+ | $0.0744 |
| 150+ | $0.0639 |
| 500+ | $0.0561 |
| 3000+ | $0.0498 |
| 6000+ | $0.0466 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50 V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased |
| Supplier Device-Gehäuse | SMT3 |
| Serie | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 1 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1) | 1 kOhms |
| Leistung - max | 200 mW |
| Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Frequenz - Übergang | 200 MHz |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 33 @ 50mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 500 mA |
| Grundproduktnummer | DTD113 |
| DTD113EKT146 Einzelheiten PDF [English] | DTD113EKT146 PDF - EN.pdf |




DTD113EKT146
Rohm Semiconductor – Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner für Produkte der Marke Rohm Semiconductor und bietet Kunden die besten Produkte und Services.
Der DTD113EKT146 ist ein vor-biaster NPN-Bipolartransistor von Rohm Semiconductor. Er ist für den Einsatz in verschiedenen elektronischen Schaltungen und Anwendungen ausgelegt.
NPN-vor-biaster Bipolartransistor
Kollektorstrom (Ic) bis zu 500 mA
Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung (VCEO) bis zu 50 V
Basiswiderstand (R1) von 1 kΩ
Emitter-Base-Widerstand (R2) von 1 kΩ
DC-Stromverstärkung (hFE) von mindestens 33 bei 50 mA, 5 V
Geringe Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat)) von 300 mV bei 2,5 mA, 50 mA
Kollektorsperrstrom (ICBO) bis zu 500 nA
Übergangsfrequenz (fT) von 200 MHz
Leistungsaufnahme bis zu 200 mW
Vor-biastes Design vereinfacht die Schaltungsentwicklung
Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung
Niedrige Sättigungsspannung für effiziente Energieverbauch
Zuverlässige und robuste Bauweise
Verpackt in einem TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Oberflächenmontagegehäuse
Verfügbare Packungsarten: Cut Tape (CT) und Digi-Reel®
Kompaktes Oberflächenmounthing-Gehäuse mit 3 Anschlüssen
Das Produkt DTD113EKT146 ist aktiv und nährt sich keiner geplanten Einstellung.
Es sind keine direkten Entsprechungen oder Alternativmodelle von Rohm Semiconductor erhältlich. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam.
Schaltkreise
Verstärkerschaltungen
Logikschaltungen
Allgemeine elektronische Anwendungen
Das aktuellste Datenblatt für den DTD113EKT146 ist auf unserer Website verfügbar. Kunden werden ermutigt, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte technische Spezifikationen zu erhalten.
Kunden wird empfohlen, auf unserer Website ein Angebot für den DTD113EKT146 anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot ein oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt.
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