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| Artikelnummer: | DTC114EEBMGTL |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | TRANS NPN 100MA 50V SOT-416FL |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 20+ | $0.0176 |
| 200+ | $0.0172 |
| 600+ | $0.017 |
| 3000+ | $0.0167 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50 V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased + Diode |
| Supplier Device-Gehäuse | EMT3F (SOT-416FL) |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
| Leistung - max | 150 mW |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Verpackung / Gehäuse | SC-89, SOT-490 |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Frequenz - Übergang | 250 MHz |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 30 @ 5mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100 mA |




DTC114EEBMGTL
LAPIS Semiconductor
Der DTC114EEBMGTL ist ein spezieller Hochleistungs-IC von LAPIS Semiconductor. Er verfügt über ein kompaktes SOT323-Gehäuse und eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen.
Kompaktes SOT323-Gehäuse
Speziell entwickelter Hochleistungs-IC
Vielseitig einsetzbar für unterschiedliche Anwendungen
Effiziente Wärmeabfuhr
Zuverlässige Performance
Vielseitige Einsatzmöglichkeiten
Verpackungstyp: SOT323
Verpackungsmaterial: Kunststoff
Abmessungen: 2,9 × 1,3 × 1,1 mm
Pin-Konfiguration: 3-polig
Thermische Eigenschaften: Effiziente Wärmeableitung
Elektrische Eigenschaften: Geeignet für verschiedene Anwendungsbereiche
Das Produkt steht nicht vor der Einstellung.
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Fahrzeugtechnik
Industrielle Steuerungssysteme
Unterhaltungselektronik
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TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F
DTC114EE TL SOD523 ROHM
ROHM Se N/A
DTC114EE/BCR133T ROHM
DTC114EEB TL ROHM
SOT-523
TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
ROHM SOT23-6
NPN, SOT-416, R1=R2 POTENTIAL DI
ROHM SOT-523
ROHM SOT23-3
ON SOT523
DTC114EEFTL ROHM
DTC114EEB ROHM
TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
DTC114EEF ROHM
TRANS NPN BIAS RES 50V SC-75
NPN, SOT-416, R1=R2 POTENTIAL DI
NPNDIGITALTRANSISTORSSOT-523
TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC75
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2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
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2025/01/22
2025/05/30
DTC114EEBMGTLRohm Semiconductor |
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Zielpreis (USD)
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