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| Artikelnummer: | DTB513ZETL |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.1112 |
| 200+ | $0.043 |
| 500+ | $0.0415 |
| 1000+ | $0.0408 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 12 V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 100mA |
| Transistor-Typ | PNP - Pre-Biased |
| Supplier Device-Gehäuse | EMT3 |
| Serie | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1) | 1 kOhms |
| Leistung - max | 150 mW |
| Verpackung / Gehäuse | SC-75, SOT-416 |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Frequenz - Übergang | 260 MHz |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 140 @ 100mA, 2V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 500 mA |
| Grundproduktnummer | DTB513 |
| DTB513ZETL Einzelheiten PDF [English] | DTB513ZETL PDF - EN.pdf |




DTB513ZETL
Y-IC ist ein Qualitätsdistributeur von ROHM Semiconductor-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der DTB513ZETL ist ein vor-angepasster PNP-Bipolartransistor (BJT) von ROHM Semiconductor. Er ist für den Einsatz in verschiedenen elektronischen Schaltungen und Anwendungen konzipiert.
PNP Vor-angepasster Transistortyp
Kollektor-Strom (Ic) Max: 500 mA
Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung (VCE0) Max: 12 V
Basiswiderstand (R1): 1 kOhm
Emitter-Base-Widerstand (R2): 10 kOhm
EingangskreiserHormax Einsatz 0 you want the domain keyword space, this is in the original instr; the translation should include relevant keywords such as "PNP Transistor", "Bipolartransistor", "Elektronikschaltung", etc.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat)) Max: 300 mV bei 5 mA, 100 mA
Kollektorabschneide-Strom (ICBO) Max: 500 nA
Übergangsfrequenz (fT): 260 MHz
Max. Leistungsaufnahme: 150 mW
Vor-angepasstes Design vereinfacht das Schaltungsdesign
Hohe Strombelastbarkeit
Breiter Spannungsbereich
Kompakte Oberflächenmontage
Verpackung
Verpackungsart: Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Gehäuse: SC-75, SOT-416
Geräteverpackung: EMT3
Das DTB513ZETL ist ein aktives Produkt. Es gibt gleichwertige oder alternative Modelle. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Verkaufsteam über unsere Website.
Elektronische Schaltungen und Anwendungen, die einen vor-angepassten PNP-Bipolartransistor erfordern
Das maßgebliche Datenblatt für den DTB513ZETL ist auf unserer Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte technische Informationen herunterzuladen.
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DTB513ZETLRohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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