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| Artikelnummer: | DTA124ESATP |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.1506 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50 V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Transistor-Typ | PNP - Pre-Biased |
| Supplier Device-Gehäuse | SPT |
| Serie | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 22 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1) | 22 kOhms |
| Leistung - max | 300 mW |
| Verpackung / Gehäuse | SC-72 Formed Leads |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tape & Box (TB) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Frequenz - Übergang | 250 MHz |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 56 @ 5mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 30 mA |
| Grundproduktnummer | DTA124 |
| DTA124ESATP Einzelheiten PDF [English] | DTA124ESATP PDF - EN.pdf |




DTA124ESATP
Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner für Produkte der Marke LAPIS Semiconductor und bietet Kunden die bestmöglichen Produkte und Dienstleistungen.
Das DTA124ESATP ist ein PNP-vorgebiaster Bipolar Junction Transistor (BJT) in einem Gehäuse mit SC-72-Formkontakten.
PNP-vorgebiaster Bipolar Junction Transistor (BJT)
Gehäuse mit SC-72-Formkontakten
Leistungsaufnahme von 300mW
Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung von 50V
Kollektor-Strom von 30mA
Übergangsfrequenz von 250MHz
Interne Basisund Emitterwiderstände von jeweils 22kΩ
Kompaktes und platzsparendes SC-72-Gehäuse
Vorgebiaste Konfiguration vereinfacht die Schaltungsentwicklung
Hohe Frequenzleistung bis zu 250MHz
Geeignet für eine Vielzahl von Niedrigleistungsverstärkerund Schaltanwendungen
Tape & Box (TB) Verpackung
Durchsteckmontage
Gehäuse mit SC-72-Formkontakten
Elektrische Eigenschaften: Leistung Max.: 300mW, Spannung Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max.): 50V, Vce Saturation (Max.) bei Ib, Ic: 300mV bei 500A, 10mA, Strom Kollektor-Ausschaltung (Max.): 500nA, Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce: 56 bei 5mA, 5V, Frequenz Übergang: 250MHz, Widerstand Basis (R1) (Ohm): 22k, Widerstand Emitter-Basis (R2) (Ohm): 22k
Das DTA124ESATP ist ein aktives Produkt, für das derzeit keine bekannten gleichwertigen oder alternativen Modelle verfügbar sind. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an unser Verkaufsteam auf der Y-IC-Website.
Niedrigleistungsverstärker-Schaltungen
Schaltanwendungen
Allgemeine Transistoranwendungen
Das offizielle Datenblatt für das DTA124ESATP ist auf der Y-IC-Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, es direkt von der Produktseite herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, Angebote für das DTA124ESATP auf der Y-IC-Website einzuholen. Erhalten Sie ein Angebot, informieren Sie sich weiter oder nutzen Sie diese zeitlich begrenzte Gelegenheit.
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DTA124ESATPRohm Semiconductor |
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Zielpreis (USD)
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