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| Artikelnummer: | BSM180D12P3C007 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | SIC POWER MODULE |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $640.1341 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5.6V @ 50mA |
| Technologie | Silicon Carbide (SiC) |
| Supplier Device-Gehäuse | Module |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Leistung - max | 880W |
| Verpackung / Gehäuse | Module |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| FET-Merkmal | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 180A (Tc) |
| Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) |
| Grundproduktnummer | BSM180 |
| BSM180D12P3C007 Einzelheiten PDF [English] | BSM180D12P3C007 PDF - EN.pdf |




1200V, 204A, HALF BRIDGE, SILICO
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BSM180D12P3C007Rohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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