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| Artikelnummer: | BS2103F-E2 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $4.2643 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannungsversorgung | 10V ~ 18V |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SOP |
| Serie | - |
| Aufstieg / Fallzeit (Typ) | 200ns, 100ns |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.173', 4.40mm Width) |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Logikspannung - VIL, VIH | 1V, 2.6V |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) | 600 V |
| Gate-Typ | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) | 60mA, 130mA |
| Ladestrom | Independent |
| Grundproduktnummer | BS2103 |
| BS2103F-E2 Einzelheiten PDF [English] | BS2103F-E2 PDF - EN.pdf |




BS2103F-E2
Rohm Semiconductor ist ein renommierter Hersteller von Elektronikkomponenten, und Y-IC ist ein autorisierter Händler, der Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen anbietet.
Der BS2103F-E2 ist ein Leistungsschutz integriert Schaltkreis (PMIC) Gate-Treiber von Rohm Semiconductor. Er wurde entwickelt, um IGBT- und N-Kanal-MOSFET-Leistungsschalter in Halbbrücken-Konfigurationen zu treiben.
Getrennter Doppelkanal-Treiber
Leistungsfähig zum Ansteuern von IGBTund N-Kanal-MOSFET-Leistungsschaltern
Eingangstyp: Nicht-invertierend
Hochseitenspannung bis zu 600 V
Spitzen-Ausgangsstrom: 60 mA Quelle, 130 mA Senke
Schnelle Anund Ausschwingzeiten: 200 ns bzw. 100 ns
Effiziente Stromversorgung für IGBTund MOSFET-basierte Leistungskreis-Umwandlungen
Zuverlässiger und robuster Betrieb innerhalb eines weiten Temperaturbereichs (-40 °C bis 150 °C)
Optimiert für Hochspannungsund Hochleistungsanwendungen
Der BS2103F-E2 ist in einem 8-SOIC-Gehäuse (0,173 Zoll, 4,40 mm Breite) surface-mount verbaut.
Der BS2103F-E2 ist ein veraltetes Produkt. Kunden werden empfohlen, sich über die Y-IC-Website an unser Vertriebsteam zu wenden, um Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen zu erhalten.
Wechselrichter
Motorsteuerungen
Stromwandler
Industrialisierte Automatisierung
Das aktuellste Datenblatt für den BS2103F-E2 steht auf der Y-IC-Website zum Download bereit. Kunden werden ermutigt, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, Angebote für den BS2103F-E2 und andere Produkte von Rohm Semiconductor auf der Y-IC-Website einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an und nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Angebot.
CONN HEADER R/A 21POS 2.5MM
CONN SPLICE 22-26 AWG CRIMP
IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8SOP
STRAP BRAIDED BONDING 2HOLE
IC DVR IGBT/MOSFET
SI/PH TO-92
ROHM SOP-8
600V HIGH VOLTAGE HIGH & LOW-SID
Semitehelec 1206
CONN SPLICE 22-26 AWG CRIMP
STRAP BRAIDED BONDING 2HOLE
CONN HEADER R/A 22POS 2.5MM
CONN HEADER R/A 20POS 2.5MM
IC HALF BRIDGE DRVR 350MA 28SOP
600V HIGH VOLTAGE 3 PHASE BRIDGE
BS SERIES, SPDT, 2A, DC12V SENSI
LED Z-POWER BLUE 460NM SMD
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