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| Artikelnummer: | BD16952EFV-ME2 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | 2CH HALF-BRIDGE GATE DRIVER |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $9.7893 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannungsversorgung | 3 V ~ 5.5 V |
| Supplier Device-Gehäuse | 24-HTSSOP-B |
| Standardpaket | 1 |
| Serie | Automotive, AEC-Q100 |
| Aufstieg / Fallzeit (Typ) | - |
| Teilstatus | Active |
| Verpackung | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse | 24-VSSOP (0.220", 5.60mm Width) Exposed Pad |
| Andere Namen | BD16952EFV-ME2CT |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 9 Weeks |
| Logikspannung - VIL, VIH | - |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| detaillierte Beschreibung | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 24-HTSSOP-B |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) | - |
| Ladestrom | Independent |
| BD16952EFV-ME2 Einzelheiten PDF [English] | BD16952EFV-ME2 PDF - EN.pdf |




BD16952EFV-ME2
Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner für LAPIS Semiconductor Produkte. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Halbbrücken-Gate-Treiber-IC Nicht-invertierend, 24-HTSSOP-B
Versorgungsspannung: 3 V ~ 5,5 V
Betriebstemperatur: -40 °C bis 150 °C (TJ)
Montageart: Oberflächenmontage
Eingangstyp: Nicht-invertierend
Ansteuerungskonfiguration: Halbbrücke
Kanaltyp: Unabhängig
Anzahl der Treiber: 2
Gate-Typ: N-Kanal MOSFET
Geeignet für Automobilanwendungen mit AEC-Q100-Zertifizierung
Bietet eine zuverlässige und effiziente Gate-Ansteuerung für Leistung-MOSFETs/IGBTs
Gehäuse / Packung: 24-VSSOP (0,220 Zoll, 5,60 mm Breite) Exposed Pad
Verpackungsart: Stretch Tape (CT)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): 3 (168 Stunden)
Das BD16952EFV-ME2 ist ein aktives Produkt.
Es gibt gleichwertige oder alternative Modelle. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Verkaufsteam auf unserer Webseite.
Geeignet für verschiedene automotive sowie industrielle Anwendungen, die eine zuverlässige und effiziente Gate-Ansteuerung für Leistung-MOSFETs/IGBTs erfordern.
Das umfassendste Datenblatt für den BD16952EFV-ME2 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, es herunterzuladen.
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Zielpreis (USD)
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