Deutsch
| Artikelnummer: | 2SB1182TLQ |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | TRANS PNP 32V 2A CPT3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.2603 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 32 V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 800mV @ 200mA, 2A |
| Transistor-Typ | PNP |
| Supplier Device-Gehäuse | CPT3 |
| Serie | - |
| Leistung - max | 10 W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Frequenz - Übergang | 100MHz |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 120 @ 500mA, 3V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 2 A |
| Grundproduktnummer | 2SB1182 |
| 2SB1182TLQ Einzelheiten PDF [English] | 2SB1182TLQ PDF - EN.pdf |




2SB1182TLQ
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von ROHM-Semiconductor-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der 2SB1182TLQ ist ein PNP-Bipolartransistor (BJT) in einem Oberflächenmontagegehäuse vom Typ TO-252-3 (DPAK). Er ist für eine Vielzahl von Leistungsanwendungen konzipiert.
– PNP-Bipolartransistor
– Kollektorstrom (Ic) bis zu 2A
– Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung (VCEO) bis zu 32V
– Stromverstärkung (hFE) von mindestens 120 bei 500mA, 3V
– Leistungsaufnahme bis zu 10W
– Übergangsfrequenz (fT) von 100MHz
– Betriebstemperatur bis zu 150°C
– Kompaktes Oberflächenmontagegehäuse
– Hohe Strombelastbarkeit
– Hohe Durchbruchspannung
– Hohe Stromverstärkung
– Breiter Betriebstemperaturbereich
Der 2SB1182TLQ wird in einem TO-252-3 (DPAK) Oberflächenmontagegehäuse geliefert. Dieses Gehäuse verfügt über eine Zweipol-Konstruktion plus eine Backe für verbesserte Wärmeableitung. Die Gehäuseabmessungen und Pinbelegung sind im Datenblatt detailliert beschrieben.
Das Modell 2SB1182TLQ ist ein Produkt der aktuellen Produktion und wird nicht eingestellt. Es gibt vergleichbare und alternative PNP-BJT-Modelle von ROHM, wie zum Beispiel den 2SB1182, 2SB1182-C und 2SB1182S. Kunden wird geraten, sich an das Vertriebsteam von Y-IC zu wenden, um weitere Informationen zu verfügbaren Optionen zu erhalten.
– Leistungsverstärker
– Schaltkreise
– Netzteil-Design
– Motorsteuerung
– Allgemeine Leistungsanwendungen
Das aktuellste und zuverlässigste Datenblatt für den 2SB1182TLQ ist auf der Website von Y-IC verfügbar. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um vollständige technische Spezifikationen und Anwendungsinformationen zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den 2SB1182TLQ auf der Website von Y-IC anzufragen. Holen Sie sich ein Angebot, erfahren Sie mehr oder nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Angebot.
2SB1182TL R ROHM
2SB1182TL ROHM
2SB1182Q ROHM
ROHM TO252
2SB1182T201R ROHM
ROHM TO-252
2SB1182-TL-R ROHM
TO-252
TRANS PNP DARL 40V 2A CPT3
ROHM TO-252
2SB1182TLQ/R ROHM
2SB1182R Original
2SB1182Q X168 KEXIN
2SB1184 TOSHBI
ROHM TO-252
2SB1182R-T Original
SANYO TO
ROHM SOT252
TRANS PNP 32V 2A CPT3
2SB1182D-R SECOSGMBH
2026/05/12
2026/05/8
2026/04/28
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2026/05/21
2026/05/20
2026/05/20
2026/05/20
2SB1182TLQRohm Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|