Deutsch
| Artikelnummer: | ISL6614ACBZ |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Renesas Electronics Corporation |
| Teil der Beschreibung.: | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.7473 |
| 200+ | $1.0637 |
| 500+ | $1.0263 |
| 1000+ | $1.0075 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannungsversorgung | 10.8V ~ 13.2V |
| Supplier Device-Gehäuse | 14-SOIC |
| Serie | - |
| Aufstieg / Fallzeit (Typ) | 26ns, 18ns |
| Verpackung / Gehäuse | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 125°C (TJ) |
| Anzahl der Treiber | 4 |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Logikspannung - VIL, VIH | - |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) | 36 V |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) | 1.25A, 2A |
| Ladestrom | Synchronous |
| Grundproduktnummer | ISL6614 |
| ISL6614ACBZ Einzelheiten PDF [English] | ISL6614ACBZ PDF - EN.pdf |




ISL6614ACBZ
Renesas Electronics Corporation
Der ISL6614ACBZ ist ein Vierfach-Hochgeschwindigkeits-Leistungsmosfet-Gate-Treiber für den Einsatz bei Hochfrequenz- und Hochstromwechselanwendungen. Er verfügt über vier unabhängige, nicht-invertierende Treiberkanäle mit einer Quelle von 1,25A und einer Senke von 2A.
Vierfach-Hochgeschwindigkeits-Leistungsmosfet-Gate-Treiber für die Niederspannungseite, 1,25A Quellstrom und 2A Senke pro Kanal, Nicht-invertierende Eingangssignale, Versorgungsspannung von 10,8V bis 13,2V, Maximalspannung von 36V für die Hochseite, Typische Anstiegszeit von 26 ns, Typische Abfallzeit von 18 ns, Betriebstemperaturbereich von 0 °C bis 125 °C
Hochfrequenz- und Hochstrom-Schaltfähigkeit, Zuverlässiges und effizientes Energiemanagement, Vielseitig einsetzbar in verschiedensten Anwendungen
Röhrchen-Verpackung, 14-SOIC-Gehäuse (0,154 Zoll, 3,90 mm Breite) Oberflächenmontage, Ausführliche elektrische und thermische Spezifikationen im Datenblatt verfügbar
Der ISL6614ACBZ ist ein veraltetes Produkt. Kunden werden empfohlen, unser Vertriebsteam über die Website zu kontaktieren, um Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen zu erhalten.
Server- und Speicherlösungen, Netzwerktechnik, Industrieautomatisierung und Steuerungssysteme, Erneuerbare Energien
Das autoritativste Datenblatt für den ISL6614ACBZ ist auf unserer Website verfügbar. Kunden sollten es für detaillierte technische Informationen herunterladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den ISL6614ACBZ über unsere Website einzuholen. Fordern Sie ein Angebot an, um mehr über dieses zeitlich begrenzte Angebot zu erfahren.
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
ISL6614ACKZ INTERSIL
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN
INTERSIL SOP14
HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2025/01/27
2024/11/13
2025/06/24
2025/04/26
ISL6614ACBZRenesas Electronics America Inc |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|