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| Artikelnummer: | ISL6613CB |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Renesas Electronics Corporation |
| Teil der Beschreibung.: | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannungsversorgung | 10.8V ~ 13.2V |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
| Serie | - |
| Aufstieg / Fallzeit (Typ) | 26ns, 18ns |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 125°C (TJ) |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Logikspannung - VIL, VIH | - |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) | 36 V |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) | 1.25A, 2A |
| Ladestrom | Synchronous |
| Grundproduktnummer | ISL6613 |
| ISL6613CB Einzelheiten PDF [English] | ISL6613CB PDF - EN.pdf |




ISL6613CB
Y-IC ist ein zuverlässiger Vertriebspartner für Produkte von Renesas Electronics America. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Services.
Der ISL6613CB ist ein Halbwellen-Gate-Treiber-IC, der hochstromfähigen, synchronen Hoch- und Niederspannungs-Gate-Drive für N-Kanal-MOSFET-Leistungsstufen bereitstellt. Das Bauteil arbeitet mit einer Versorgungsspannung von 10,8 V bis 13,2 V und kann MOSFETs mit einer maximalen Nennspannung von bis zu 36 V ansteuern.
Halbwellen-Gate-Treiber für synchrone N-Kanal-MOSFETs
Hochund Niederspannungs-Gate-Drive
Versorgungsspannung von 10,8 V bis 13,2 V
Ansteuerung von MOSFETs mit max. Nennspannung bis zu 36 V
Peak-Ausgangsstrom von 1,25 A (Quelle) und 2 A (Senke)
Nicht-Invertierender Eingang
Effiziente Stromumwandlung mit synchroner MOSFET-Topologie
Hochstromfähiger Gate-Drive für schnelle Schaltzeiten
Robustes Design mit breitem Versorgungsspannungsund MOSFET-Spannungsbereich
Kompakte 8-SOIC-Gehäuseform
Der ISL6613CB ist in einem 8-SOIC-Gehäuse (0,154" Breite, 3,90 mm) für die Oberflächenmontage verpackt.
Der ISL6613CB ist ein veraltetes Produkt. Kunden werden empfohlen, unseren Vertrieb über unsere Webseite zu kontaktieren, um Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Bauteilen zu erhalten.
Schaltregler
Motorantriebe
Spannungsregler
Wechselrichter
Das offizielle Datenblatt für den ISL6613CB steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Kunden wird empfohlen, es herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, ein Angebot für den ISL6613CB auf unserer Webseite anzufordern. Holen Sie sich noch heute Ihr Angebot, um von diesem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren.
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN
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Zielpreis (USD)
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