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| Artikelnummer: | HIP6603BECB |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Renesas Electronics Corporation |
| Teil der Beschreibung.: | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannungsversorgung | 10.8V ~ 13.2V |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC-EP |
| Serie | - |
| Aufstieg / Fallzeit (Typ) | 20ns, 20ns |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) Exposed Pad |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 125°C (TJ) |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Logikspannung - VIL, VIH | - |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) | 15 V |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) | - |
| Ladestrom | Synchronous |
| Grundproduktnummer | HIP6603 |
| HIP6603BECB Einzelheiten PDF [English] | HIP6603BECB PDF - EN.pdf |




HIP6603BECB
Renesas Electronics America. Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner der Marke Renesas und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der HIP6603BECB ist ein Hochleistungs-Gate-Treiber mit hoher Geschwindigkeit, der entwickelt wurde, um N-Kanal-Leistungstransistoren (MOSFETs) oder IGBTs in Halbwellen- oder Vollbrücken-Schaltungen für die Leistungskonversion zu treiben. Er zeichnet sich durch geringe Durchlaufzeiten, abgestimmte An- und Ausschwingzeiten sowie Hoch- und Tiefseiten-Ausgänge aus.
Treibt N-Kanal-Leistungstransistoren (MOSFETs) oder IGBTs in Halbwellenoder Vollbrücken-Konfigurationen
Hochleistung mit schnellen Schaltzeiten
Abgestimmte Riseund Fallzeiten zur Reduzierung elektromagnetischer Interferenzen (EMI)
Hochund Tiefseiten-Ausgänge
Versorgungsspannungsbereich von 10,8 V bis 13,2 V
Effiziente Stromumwandlung bei geringer EMI
Zuverlässige und robuste Performance
Einfache Integration in Leistungsschaltungen
8-SOIC Gehäuse mit offenem Fuß (0,154 Zoll Breite / 3,90 mm)
Oberflächenmontage (SMD)
Der HIP6603BECB ist ein veraltetes Produkt. Kunden werden gebeten, sich über unsere Verkaufsseite an unser Vertriebsteam zu wenden, um Informationen zu entsprechenden oder alternativen Modellen zu erhalten.
Leistungskonversion in Halbwellenoder Vollbrückenschaltungen
Motorsteuerungen
Schaltende Netzteile
Industrieund Unterhaltungselektronik
Das offizielle Datenblatt für den HIP6603BECB ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden werden empfohlen, es direkt von der aktuellen Produktseite herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, ein Angebot auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie ein Angebot an oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt.
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER,
HIP6603ECB INTERSI
HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
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IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN
HIP6603ACB-T INTERSI
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
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HIP6603 - SYNCHRONOUS-RECTIFIED
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
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HIP6603CB-T INTERSI
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IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN
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HIP6603BECBRenesas Electronics America Inc |
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Zielpreis (USD)
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