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| Artikelnummer: | HIP6603BCB-T |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Renesas Electronics Corporation |
| Teil der Beschreibung.: | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannungsversorgung | 10.8V ~ 13.2V |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
| Serie | - |
| Aufstieg / Fallzeit (Typ) | 20ns, 20ns |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 125°C (TJ) |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Logikspannung - VIL, VIH | - |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) | 15 V |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) | - |
| Ladestrom | Synchronous |
| Grundproduktnummer | HIP6603 |
| HIP6603BCB-T Einzelheiten PDF [English] | HIP6603BCB-T PDF - EN.pdf |




HIP6603BCB-T
Intersil. Y-IC ist ein Qualitätsdistributor für Intersil-Markenprodukte und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der HIP6603BCB-T ist ein integrierter Dual-N-Kanal-MOSFET-Treiber, der entwickelt wurde, um zwei N-Kanal-MOSFETs in einer Halbwellen-Brückenschaltung anzusteuern. Er verfügt über nicht-invertierende Eingänge, unabhängige Treiber für den Hoch- und Tiefliegenden Bereich sowie Bootstrap-Betrieb für den Hochseitentreiber.
Dualer N-Kanal-MOSFET-Treiber
Nicht-invertierende Eingänge
Unabhängige Hochund Tieftreiber
Bootstrap-Betrieb für den Hochseitentreiber
Typische Anstiegsund Abfallzeiten von 20 ns
Maximalspannung für den Hochseitentreiber 15 V (Bootstrap)
Versorgungsspannungsbereich von 10,8 V bis 13,2 V
Betriebstemperaturbereich von 0°C bis 125°C
Effiziente und zuverlässige Steuerung von MOSFETs
Kompakte 8-SOIC-Gehäuse
Breiter Spannungsund Temperaturbereich
Optimiert für Schaltnetzteile und Motoranwendungen
8-SOIC-Gehäuse (0,154 Zoll, 3,90 mm Breite)
Tape & Reel (TR) Verpackung
Oberflächenmontage (SMT)
Der HIP6603BCB-T ist ein aktives Produkt und nähert sich nicht dem Ende der Lebensdauer. Es sind gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich, wie z.B. HIP6601BCB-T und HIP6602BCB-T. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Verkaufsteam auf unserer Webseite.
Schaltnetzteile
Motorantriebe
Wechselrichter
Weitere Anwendungen der Energieumwandlung
Das umfassendste technische Datenblatt für den HIP6603BCB-T ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden werden empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um alle technischen Details einzusehen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den HIP6603BCB-T auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unserem zeitlich befristeten Angebot zu profitieren.
HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER,
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HIP6603BCB-TRenesas Electronics America Inc |
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Zielpreis (USD)
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