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| Artikelnummer: | HIP6603CB |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Harris Corporation |
| Teil der Beschreibung.: | RECTIFIED BUCK MOSFET DRIVER |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.1851 |
| 200+ | $0.459 |
| 500+ | $0.443 |
| 1000+ | $0.4357 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannungsversorgung | 5V ~ 12V |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
| Serie | - |
| Aufstieg / Fallzeit (Typ) | 20ns, 20ns |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 85°C (TA) |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Logikspannung - VIL, VIH | - |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) | 15 V |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) | - |
| Ladestrom | Synchronous |
| Grundproduktnummer | HIP6603 |
| HIP6603CB Einzelheiten PDF [English] | HIP6603CB PDF - EN.pdf |




HIP6603CB
Harris Corporation. Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner der Marke Harris und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der HIP6603CB ist ein dualer N-Kanal-MOSFET-Gate-Treiber für Anwendungen im Bereich der Energieverwaltung. Er verfügt über einen Hochseitentreiber und einen Niederseitentreiber mit unabhängigen Eingängen und Ausgängen, was es ermöglicht, sowohl die Hoch- als auch die Niederseiten-MOSFETs in einer Halbbrücken-Konfiguration zu steuern.
Dualer N-Kanal-MOSFET-Gate-Treiber
Hochseitentreiber und Niederseitentreiber mit unabhängigen Eingängen und Ausgängen
Fähigkeit, sowohl Hochals auch Niederseiten-MOSFETs in einer Halbbrücken-Konfiguration zu steuern
Versorgungsspannungsbereich von 5V bis 12V
Typische Anstiegsund Abfallzeiten von 20ns
Betriebstemperaturbereich von 0°C bis 85°C
Effizientes Energiemanagement durch Steuerung beider MOSFETs in Hochund Niederseite
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten für Hochleistungsanwendungen
Breiter Versorgungsspannungsbereich für Kompatibilität mit verschiedenen Systemen
Robuster Betrieb bei unterschiedlichen Temperaturen
Verpackt in einem 8-SOIC-Gehäuse (0,154", 3,90mm Breite) für Oberflächenmontage
Lieferanten-Gehäuse: 8-SOIC
Das HIP6603CB ist ein aktives Produkt
Es können gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich sein. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Website.
Stromversorgungen
Motorantriebe
Wechselrichter
Weitere Anwendungen im Bereich der Energieverwaltung
Das umfassendste Datenblatt für den HIP6603CB ist auf unserer Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, es herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, Angebote auf unserer Website einzuholen. Fordern Sie ein Angebot an oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt.
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