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| Artikelnummer: | HFA3096BZ |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Renesas Electronics Corporation |
| Teil der Beschreibung.: | RF TRANS 12/15V 5.5GHZ 16SOIC |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $3.006 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 12V, 15V |
| Transistor-Typ | 3 NPN + 2 PNP |
| Supplier Device-Gehäuse | 16-SOIC |
| Serie | - |
| Leistung - max | 150mW |
| Verpackung / Gehäuse | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 3.5dB @ 1GHz |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Gewinnen | - |
| Frequenz - Übergang | 8GHz, 5.5GHz |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 65mA |
| Grundproduktnummer | HFA3096 |
| HFA3096BZ Einzelheiten PDF [English] | HFA3096BZ PDF - EN.pdf |




HFA3096BZ
Renesas Electronics Corporation
Der HFA3096BZ ist ein bipolarer Hochfrequenz-Transistor von Renesas Electronics Corporation. Er vereint 3 NPN- und 2 PNP-Transistoren in einem einzigen Gehäuse.
Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung (Max): 12V, 15V
Übergangsfrequenz: 8GHz, 5,5GHz
Rauschzahl: 3,5dB bei 1GHz
Verlustleistung (Max): 150mW
DC-Stromverstärkung (hFE): 40 bei 10mA, 2V / 20 bei 10mA, 2V
Kollektorstrom (Max): 65mA
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Kompaktes Surface-Mount-Gehäuse
Hochfrequenzleistung
Geringe Rauschzahl
Vielseitige Transistor-Konfiguration
Gehäuse: 16-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Verpackungsart: Tube
Das HFA3096BZ ist ein aktives Produkt.
Derzeit sind keine äquivalenten oder alternativen Modelle verfügbar. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über die Webseite.
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HFA3096BZRenesas Electronics America Inc |
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Zielpreis (USD)
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