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| Artikelnummer: | IXYT30N65C3H1HV |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | IXYS / Littelfuse |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT 650V 60A 270W TO268HV |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 300+ | $8.8942 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 650 V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 30A |
| Testbedingung | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 21ns/75ns |
| Schaltenergie | 1mJ (on), 270µJ (off) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-268AA |
| Serie | GenX3™, XPT™ |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 120 ns |
| Leistung - max | 270 W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | PT |
| Gate-Ladung | 44 nC |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 118 A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 60 A |
| Grundproduktnummer | IXYT30 |
| IXYT30N65C3H1HV Einzelheiten PDF [English] | IXYT30N65C3H1HV PDF - EN.pdf |




IXYT30N65C3H1HV
IXYS ist ein Qualitätshersteller für Leistungshalbleiter, und Y-IC ist ein vertrauenswürdiger Händler von IXYS-Produkten. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der IXYT30N65C3H1HV ist ein Hochspannungs- und Hochstrom-IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) in einem kompakten Oberflächenmontagegehäuse TO-268-3 (D³Pak). Er gehört zur GenX3™- und XPT™-Reihe und bietet fortschrittliche Leistung sowie Zuverlässigkeit.
650 V Collector-Emitter-Spannungsfestigkeit
60 A Dauer-Collector-Strom
118 A Puls-Collector-Strom
Niedriger On-Zustand-Spannung von 2,7 V bei 15 V, 30 A
Hohe Schaltgeschwindigkeit mit 21 ns Einschaltverzögerung und 75 ns Ausschaltverzögerung
Herausragende Leistungsfähigkeit
Kompaktes, platzsparendes Oberflächenmontagegehäuse
Schnelles Schalten für Hochfrequenzanwendungen
Hohe Zuverlässigkeit und Robustheit
TO-268-3 (D³Pak) Gehäuse für Oberflächenmontage
2 Pins + Tab-Konfiguration
Geeignet für Hochleistungsund Hochtemperaturanwendungen
Das Produkt IXYT30N65C3H1HV ist aktiv verfügbar
Es gibt gleichwertige und alternative IGBT-Modelle von IXYS, wie z.B. IXYT30N65B3H1, IXYT30N65C3 und IXYT30N65C3H1
Für die neuesten Produktinformationen und Verfügbarkeiten wenden Sie sich bitte an unser Verkaufsteam
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Das aktuellste und vertrauenswürdigste Datenblatt für den IXYT30N65C3H1HV steht auf unserer Website zum Download bereit. Kunden werden ermutigt, es für umfassende technische Details herunterzuladen.
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IXYX100N65C3D1 IXYS
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