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| Artikelnummer: | IXYH30N120C3D1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | IXYS / Littelfuse |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT 1200V 66A 416W TO247 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $13.2913 |
| 10+ | $12.2187 |
| 100+ | $10.3194 |
| 500+ | $9.1798 |
| 1000+ | $8.9588 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 1200 V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.3V @ 15V, 30A |
| Testbedingung | 600V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 19ns/130ns |
| Schaltenergie | 2.6mJ (on), 1.1mJ (off) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-247 (IXTH) |
| Serie | GenX3™, XPT™ |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 195 ns |
| Leistung - max | 416 W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | - |
| Gate-Ladung | 69 nC |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 133 A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 66 A |
| Grundproduktnummer | IXYH30 |
| IXYH30N120C3D1 Einzelheiten PDF [English] | IXYH30N120C3D1 PDF - EN.pdf |




IXYH30N120C3D1
IXYS ist ein hochwertiger Distributor für Leistungshalbleiterprodukte. Y-IC ist stolz darauf, Produkte von IXYS anzubieten und Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen zu garantieren.
Der IXYH30N120C3D1 ist ein Hochleistungs-IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) aus der GenX3™- und XPT™-Serie. Er wurde für den Einsatz in vielfältigen Anwendungen der Leistungsumwandlung und Steuerung entwickelt.
1200V Collector-Emitter-Spannung
Maximaler Kollektorstrom von 66A
Pulsstrom von 133A
Geringes Vce(on) von 3,3V bei 15V, 30A
Schnelle Schaltgeschwindigkeit mit 19ns Einschaltverzögerung und 130ns Ausschaltverzögerung
Hervorragende Leistung und Effizienz bei Leistungsumwandlungsund Motorkontrollanwendungen
Robustes Design für zuverlässigen Betrieb in anspruchsvollen Umgebungen
Optimiert für Hochleistungs-, Hochfrequenz-Schaltanwendungen
Gehäuse: TO-247-3
Material: Kunststoff
Abmessungen: Standard-TO-247-Gehäuse
Pin-Konfiguration: 3-polig (Kollektor, Gate, Emitter)
Thermische Eigenschaften: Geeignet für Hochleistungsanwendungen
Elektrische Eigenschaften: Auf Hochspannung und hohe Ströme ausgelegt
Das Produkt IXYH30N120C3D1 ist ein aktives Produkt.
Es sind gleichwertige und alternative Modelle erhältlich. Bitte kontaktieren Sie unser Verkaufsteam für weitere Informationen.
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Das aktuellste Datenblatt für den IXYH30N120C3D1 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden werden empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte technische Spezifikationen und Leistungsmerkmale zu erhalten.
Kunden wird empfohlen, Angebote für den IXYH30N120C3D1 auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unseren zeitlich begrenzten Angeboten zu profitieren und die Verfügbarkeit dieses Hochleistung-IGBTs zu sichern.
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